Toshiba SiC MOSFET chip đại diện cho công nghệ mạch điều khiển cổng thế hệ mới.

Toshiba ra mắt công nghệ driver cổng thế hệ mới: Giảm tổn hao chuyển mạch silicon carbide xuống 28%

Công nghệ bộ điều khiển cổng thế hệ mới của Toshiba giúp giảm tổn thất chuyển mạch 28%. Đổi mới này nâng cao hiệu suất trong điện tử công suất.
Vào ngày 17 tháng 2 năm 2026, Toshiba đã công bố một bước đột phá đáng kể trong hiệu suất bán dẫn công suất với việc phát triển hai công nghệ gate driver thế hệ mới được thiết kế riêng cho các thiết bị công suất Silicon Carbide. Đổi mới này giải quyết một trong những thách thức dai dẳng nhất của điện tử công suất tốc độ cao: sự đánh đổi giữa tốc độ chuyển mạch và nhiễu điện từ. Bằng cách đạt mức giảm 28 phần trăm tổn hao chuyển mạch, Toshiba đang mở đường cho hệ truyền động xe điện hiệu quả hơn và cơ sở hạ tầng trung tâm dữ liệu bền vững.
Cốt lõi của bước đột phá này nằm ở công nghệ Feedback Active Gate Driver mới. Các gate driver truyền thống thường gặp phải tình trạng nhiễu và xung điện áp tăng lên khi hoạt động ở tốc độ cao. Giải pháp mới của Toshiba sử dụng phản hồi theo thời gian thực để giám sát trạng thái của MOSFET Silicon Carbide và điều chỉnh dạng sóng điều khiển tương ứng. Điều khiển động này không chỉ giúp giảm tổn hao năng lượng 28 phần trăm mà còn triệt tiêu xung tăng đột biến lên đến 58 phần trăm, qua đó nâng cao đáng kể độ tin cậy và tuổi thọ của các mô-đun công suất.
Bên cạnh bộ driver chủ động, Toshiba còn giới thiệu một công nghệ nhằm giảm tổn hao điều khiển gia tăng ngay trong mạch tích hợp driver, vốn thường xảy ra trong các hoạt động tần số cao và công suất lớn. Khi nhu cầu toàn cầu về nguồn công suất mật độ dòng cao tăng lên—đặc biệt là đối với bộ lưu điện (Uninterruptible Power Supplies) trong trung tâm dữ liệu và bộ sạc on-board cho xe điện—những công nghệ này mang đến một giải pháp quan trọng cho quá trình khử cacbon. Bằng cách giảm phát nhiệt và cho phép sử dụng các hệ thống làm mát nhỏ hơn, Toshiba tạo điều kiện thu nhỏ thiết bị chuyển đổi công suất đồng thời tối đa hóa đầu ra năng lượng.
Sự phát triển này phù hợp với xu hướng chuyển dịch rộng hơn của ngành sang Silicon Carbide nhờ các đặc tính vùng cấm rộng vượt trội so với Silicon truyền thống. Với việc triển khai chính thức dự kiến sẽ ảnh hưởng đến thế hệ tiếp theo của điện tử công suất, trọng tâm của Toshiba vào độ chính xác của gate driver đánh dấu một kỷ nguyên mới trong thiết kế bán dẫn tiết kiệm năng lượng.