Trong một bước đi quan trọng đối với ngành công nghiệp bán dẫn, Toshiba D&S và SICC đã công bố một quan hệ đối tác chiến lược nhằm nâng cao hiệu suất và chất lượng của các tấm wafer SiC (Silicon Carbide) cho bán dẫn công suất. Sự hợp tác này sẽ tập trung vào phát triển công nghệ chung và hợp tác kinh doanh để bảo đảm nguồn cung ổn định và chất lượng cao cho những linh kiện quan trọng này.
Toshiba D&S là một doanh nghiệp chủ chốt trong việc phát triển các thiết bị SiC cho nhiều ứng dụng, bao gồm bộ nguồn máy chủ và điện tử ô tô. Bằng cách hợp tác với SICC, Toshiba D&S hướng tới đẩy nhanh quá trình phát triển thiết bị và cung cấp các giải pháp tối ưu cho những thị trường tăng trưởng cao này.
SICC mang đến cho quan hệ đối tác này bề dày chuyên môn. Là đơn vị chuyên nghiên cứu, phát triển và sản xuất wafer SiC đơn tinh thể, công ty là một trong những doanh nghiệp dẫn đầu được công nhận trong lĩnh vực này. SICC nằm trong top năm toàn cầu về các bằng sáng chế liên quan và đã tạo ra bước đột phá đáng kể trong ngành khi giới thiệu wafer SiC 12 inch đầu tiên trên thế giới.
Liên minh này kết hợp kinh nghiệm sâu rộng của Toshiba D&S trong ứng dụng thiết bị với công nghệ wafer tiên tiến của SICC. Hai công ty hiện đang tiếp tục thảo luận chi tiết để chính thức hóa sự hợp tác và đặt nền tảng cho những đổi mới trong tương lai ở lĩnh vực bán dẫn công suất SiC.
