Ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu đang chứng kiến một sự chuyển dịch đáng kể khi các doanh nghiệp Trung Quốc tăng tốc sản xuất đế Silicon Carbide 12 inch. Trong khi ngành này đang chuyển từ wafer 6 inch sang 8 inch, các công ty hàng đầu của Trung Quốc đã đạt được những đột phá chiến lược trong công nghệ 12 inch để giành lợi thế cạnh tranh về chi phí và hiệu suất. Hiện nay, hơn mười doanh nghiệp Trung Quốc đã phát triển thành công đế Silicon Carbide 12 inch, đánh dấu một cột mốc mới trong tăng trưởng tinh thể đường kính lớn.
Việc chuyển sang đế 12 inch được thúc đẩy bởi những lợi thế kinh tế to lớn mà chúng mang lại. So với wafer 6 inch truyền thống, wafer 12 inch làm tăng số lượng chip có thể sử dụng lên khoảng bốn lần. Các đơn vị dẫn đầu ngành như Hoshine Silicon cho biết sự chuyển đổi này có thể giảm chi phí đơn vị của chip tới 40 phần trăm. Mức giảm này rất quan trọng đối với việc ứng dụng đại trà điện tử công suất trong lĩnh vực xe điện và năng lượng tái tạo.
Ngoài việc tiết kiệm chi phí, các đế khổ lớn này còn được thiết kế để đáp ứng những nhu cầu công nghệ cao cấp. Ví dụ, TanKeBlue đã phát triển đế 12 inch loại tản nhiệt, được thiết kế riêng cho nhu cầu quản lý nhiệt của các hệ thống Trí tuệ Nhân tạo và lái xe tự động. Tương tự, các đế bán cách điện độ tinh khiết cao 12 inch của SICC được tối ưu cho các thiết bị tần số cao, hỗ trợ mức công suất và tích hợp cần thiết cho viễn thông thế hệ tiếp theo. Khi Trung Quốc tiếp tục mở rộng năng lực sản xuất, việc ứng dụng quy mô lớn công nghệ Silicon Carbide 12 inch sẽ định hình lại bức tranh bán dẫn công suất toàn cầu.
