Taiwan Semiconductor Manufacturing Company đang đẩy mạnh sản xuất quy trình ba nanomet tiên tiến nhất của mình, được gọi là N3, nhằm đáp ứng nhu cầu chip bán dẫn trí tuệ nhân tạo tăng vọt. Công ty đang triển khai một chiến lược toàn cầu vững chắc bằng cách xây dựng các nhà máy chế tạo mới tại Nhật Bản, Đài Loan và Hoa Kỳ, đồng thời nâng cấp các dây chuyền sản xuất hiện có lên năng lực N3. Kết quả của việc mở rộng quy mô lớn này là chi tiêu vốn cho năm 2026 được dự báo sẽ chạm mức cao nhất trong phạm vi hướng dẫn từ năm mươi hai tỷ đến năm mươi sáu tỷ đô la Mỹ.
Lộ trình của các cơ sở mới này được sắp xếp lệch nhau một cách chiến lược nhằm bảo đảm nguồn cung toàn cầu ổn định. Tại Đài Loan, Fab mười tám Giai đoạn chín dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt trong nửa đầu năm 2027. Tiếp đó là Arizona Fab hai mươi mốt Giai đoạn hai tại Hoa Kỳ, nhắm tới nửa cuối năm 2027. Hơn nữa, Japan Advanced Semiconductor Manufacturing Fab hai mươi ba Giai đoạn hai dự kiến sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2028.
Trong một bước chuyển chiến lược đáng kể, công ty cũng đã quyết định tối ưu hóa các cơ sở sản xuất cũ hơn của mình. Điều này bao gồm việc thu nhỏ quy mô Fab hai sáu inch và các cơ sở tám inch dành cho Nitrogen Gallium, thường được gọi là Gallium Nitride. Các địa điểm này sẽ được tái sử dụng và tích hợp vào các trung tâm node tiên tiến để phục vụ tốt hơn các lĩnh vực công nghệ có nhu cầu cao. Việc phân bổ lại nguồn lực này nhấn mạnh sự chuyển dịch của ngành sang các giải pháp điện toán hiệu năng cao nhỏ hơn, nhanh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn.
