Sản phẩm

158 sản phẩm
Sắp xếp theo
Sắp xếp theo
alt Tấm wafer đế KTaO3, wafer KTO đơn tinh thể đánh bóng một mặt dùng cho nghiên cứu và thí nghiệm.
Tấm nền mica tổng hợp Fluorphlogopite
Từ $490.00
Chip Polysilicon tinh khiết cao dùng cho sản phẩm bán dẫn năng lượng mặt trời, sản xuất tại Nhật Bản
Chip Polysilicon tinh khiết cao dùng cho sản phẩm bán dẫn năng lượng mặt trời, sản xuất tại Nhật Bản
Từ $250.00
alt PolySilicon tinh khiết cao dùng cho sản phẩm bán dẫn năng lượng mặt trời, sản xuất tại Nhật Bản - Soka Technology
PolySilicon tinh khiết cao dùng cho sản phẩm bán dẫn năng lượng mặt trời, sản xuất tại Nhật Bản
Từ $250.00
txt Kính trong suốt cho wafer kính Eagle 4inch BK7 B270
Đế wafer thủy tinh thạch anh đơn tinh thể, chất lượng cao, đánh bóng hai mặt
Từ $340.00
Đế wafer thạch anh 12inch độ tinh khiết cao, đánh bóng hai mặt - Soka Technology Phiến thạch anh 2~6 inch nền đế hợp nhất tổng hợp chất lượng cao, đánh bóng hai mặt
Phiến thạch anh 2~6 inch nền đế hợp nhất tổng hợp chất lượng cao, đánh bóng hai mặt
Từ $265.00
alt Đế thạch anh tổng hợp cho mặt nạ ảnh LSI tấm wafer quartz 6025 (Sản xuất tại Nhật Bản) - Soka Technology alt Tấm wafer thạch anh 6025 đế thạch anh tổng hợp cho mặt nạ quang LSI (Sản xuất tại Nhật Bản) - Soka Technology
Tấm wafer thạch anh 6025, đế thạch anh tổng hợp cho mặt nạ quang LSI (Sản xuất tại Nhật Bản)
$3,850.00
Đế wafer thạch anh 12inch độ tinh khiết cao, đánh bóng hai mặt - Soka Technology Tấm wafer thạch anh 8~12 inch nền thạch anh nung chảy nhân tạo chất lượng cao, đánh bóng hai mặt
Tấm wafer thạch anh 8~12 inch nền thạch anh nung chảy nhân tạo chất lượng cao, đánh bóng hai mặt
Từ $850.00
alt Wafer thạch anh đã cắt chip, nền thạch anh tổng hợp đánh bóng hai mặt - Soka Technology Đế nền thạch anh tổng hợp dạng chip cắt từ wafer thạch anh, đánh bóng hai mặt - Soka Technology
Đế thạch anh tổng hợp wafer cắt chip, đánh bóng hai mặt
Từ $115.00
Tấm wafer nền sapphire trong hộp đóng gói cùng nhíp, thể hiện quang học LED độ tinh khiết cao cho nghiên cứu.
Tấm wafer sapphire 2inch 3inch 4inch mặt C chất lượng cao cho quang học LED, đế nền đánh bóng một mặt/hai mặt
Từ $225.00
Tấm wafer nền sapphire trong hộp đóng gói cùng nhíp, thể hiện quang học LED độ tinh khiết cao cho nghiên cứu.
Wafer Sapphire 2inch M/A/R, độ tinh khiết cao cho quang học LED, đế đánh bóng một mặt
Từ $950.00
Tấm wafer nền sapphire trong hộp đóng gói cùng nhíp, thể hiện quang học LED độ tinh khiết cao cho nghiên cứu.
Phiến sapphire 4inch mặt phẳng C chất lượng cao cho quang học LED, đế đánh bóng một mặt
$800.00
alt Phiến sapphire 6 inch độ tinh khiết cao cho quang học LED, đế mài bóng hai mặt - Soka Technology Tấm wafer nền sapphire trong hộp đóng gói cùng nhíp, thể hiện quang học LED độ tinh khiết cao cho nghiên cứu.
Sapphire Wafer 4inch M/A, nền LED quang học độ tinh khiết cao, đánh bóng một mặt
Từ $795.00
Tấm wafer sapphire 6inch 8inch đế nền mài bóng một mặt cho quang học LED chất lượng cao
Tấm wafer sapphire 6inch 8inch đế nền mài bóng một mặt cho quang học LED chất lượng cao
Từ $795.00
Tấm wafer sapphire 6inch 8inch đế nền mài bóng một mặt cho quang học LED chất lượng cao
Tấm wafer sapphire 6inch 8inch đế nền mài bóng một mặt cho quang học LED chất lượng cao
$2,225.00
Sapphire wafer 8inchHigh Quality Single Side Polished Substrate
Sapphire wafer 8inchHigh Quality Single Side Polished Substrate
$8,625.00
Three hình cầu với kích cỡ và sắc độ xanh lá khác nhau, thể hiện thiết kế trừu tượng hoặc cấu trúc phân tử. Tấm wafer nền silicon carbide trong hộp đựng trong suốt, trưng bày tấm wafer SiC chất lượng cao cho nghiên cứu và thí nghiệm.
SiC Wafer 12inch cấp Dummy loại N nền Silicon Carbide 4H cho IGBT
Từ $9,900.00
Tấm wafer nền silicon carbide trong hộp đựng trong suốt, trưng bày tấm wafer SiC chất lượng cao cho nghiên cứu và thí nghiệm.
Đế EPI Silicon Carbide 6inch, wafer SiC loại sản xuất cho IGBT
$1,390.00
alt Phôi Silicon Carbide SiC 8inch loại N dùng cho sản xuất / cấp Dummy - Soka Technology alt Phôi Silicon Carbide SiC 8inch loại N dùng cho sản xuất / cấp Dummy - Soka Technology
Phôi Silicon Carbide SiC 6 inch loại N cho sản xuất / loại mẫu
Từ $319.00
alt Phôi Silicon Carbide SiC 8inch loại N dùng cho sản xuất / cấp Dummy - Soka Technology alt Phôi Silicon Carbide SiC 8inch loại N dùng cho sản xuất / cấp Dummy - Soka Technology
Phôi Silicon Carbide SiC 8inch loại N, cấp sản xuất / cấp dummy
Từ $635.00
Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer in round container with blue-green gel surface. Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer, high-quality research SiC wafers.
Đế cacbua silic 3C/6H/ wafer SiC loại dummy
Từ $325.00
Silicon Carbide Substrate 3C/6H/ Dummy Grade SiC Wafer, high-quality research SiC wafers. Tấm wafer nền silicon carbide trong hộp đựng trong suốt, trưng bày tấm wafer SiC chất lượng cao cho nghiên cứu và thí nghiệm.
Đế cacbua silic wafer SiC quang học 4H 4inch 6inch
Từ $1,925.00
Tấm wafer nền silicon carbide trong hộp đựng trong suốt, trưng bày tấm wafer SiC chất lượng cao cho nghiên cứu và thí nghiệm. Three hình cầu với kích cỡ và sắc độ xanh lá khác nhau, thể hiện thiết kế trừu tượng hoặc cấu trúc phân tử.
Đế Silicon Carbide 4inch Dummy Grade 4H loại N SiC Wafer IGBT
$1,560.00
Three hình cầu với kích cỡ và sắc độ xanh lá khác nhau, thể hiện thiết kế trừu tượng hoặc cấu trúc phân tử.
Silic cacbua nền 6inch 4H loại N, wafer SiC cấp sản xuất/giả IGBT
Từ $1,025.00
Three hình cầu với kích cỡ và sắc độ xanh lá khác nhau, thể hiện thiết kế trừu tượng hoặc cấu trúc phân tử. Tấm wafer nền silicon carbide trong hộp đựng trong suốt, trưng bày tấm wafer SiC chất lượng cao cho nghiên cứu và thí nghiệm.
Silicon Carbide Đế 8 inch loại N Hàng sản xuất/Mẫu thử 4H SiC Wafer IGBT
Từ $1,100.00