シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.01~0.02Ω 酸化膜280nm 半導体基板
シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.01~0.02Ω 酸化膜280nm 半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.01~0.02Ω 酸化膜280nm 半導体基板

セール価格$36.90 USD
仕様:N(100) 625um Oxide Layer 280nm
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究実験用の高品質シリコンウェーハ。
♦️ 少量、特殊仕様品、カスタマイズ対応も承ります
シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 6インチ。
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント: Sb;
  • 方向: 100;
  • 抵抗率:0.01~0.02Ω・cm。
  • 厚さ: 625um±25;
  • 酸化層:280nm(両面) );
  • TTV<10um ;
  • 表面: 研磨;
  • 裏面: エッチング。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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