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シリコンウェーハ 4インチ FZ Nタイプ(100) >5000Ω 片面研磨 シリコンウェーハ 4インチ FZ Nタイプ(100) >5000Ω 片面研磨
シリコンウェーハ 4インチ FZ P-Type(100) >10000Ω 片面研磨 Silicon Wafer Semiconductor 4 Inch FZ
シリコンウェーハ 4インチ FZ Nタイプ(111) 50~60Ω 片面研磨 Silicon Wafer Semiconductor 4 Inch FZ
シリコンウェハー 4インチ P/N-Type(100/111) 0.01~0.02Ω 半導体基板 シリコンウェハー 4インチ P/N-Type(100/111) 0.01~0.02Ω 半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ N型(100)/(111) 0.002~0.004Ω SSP半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ N型(100)/(111) 0.002~0.004Ω SSP半導体基板
シリコンウエハー 4インチ Pタイプ(100) 0.005~0.009Ω SSP半導体基板 シリコンウエハー 4インチ Pタイプ(100) 0.005~0.009Ω SSP半導体基板
シリコンウェハ 4インチ Pタイプ(100) 1~5Ω 半導体基板 シリコンウェハ 4インチ Pタイプ(100) 1~5Ω 半導体基板
Silicon wafer 4inch P Type(110) Single Side Polished Semiconductor Substrate Silicon wafer 4inch P Type(110) Single Side Polished Semiconductor Substrate
シリコンウエハー 5インチ Nタイプ(00) 0.01~0.02Ω SSP半導体基板 シリコンウエハー 5インチ Nタイプ(00) 0.01~0.02Ω SSP半導体基板
シリコンウェーハ 6インチ Nタイプ(100) 0.001~0.005Ω SSP半導体基板 シリコンウェーハ 6インチ Nタイプ(100) 0.001~0.005Ω SSP半導体基板
シリコンウェハー 6インチ P型(100) 0.1~0.2Ω SSP半導体基板 シリコンウェハー 6インチ P型(100) 0.1~0.2Ω SSP半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.09Ω 酸化層 300nm 半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.09Ω 酸化層 300nm 半導体基板
シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ N型 0.002~0.004Ω 酸化層 280nm 半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ N型 0.002~0.004Ω 酸化層 280nm 半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ P型 1~10Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ P型 1~10Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ P型 10~20Ω 酸化層 300nm 半導体基板 シリコンウェーハ 4インチ P型 10~20Ω 酸化層 300nm 半導体基板
シリコンウェハー 4インチ Pタイプ(100) SIN層 150/300nm半導体基板 シリコンウェハー 4インチ Pタイプ(100) SIN層 150/300nm半導体基板
シリコンウェハ 4インチ P型(100) SIN層 50nm半導体基板 シリコンウェハ 4インチ P型(100) SIN層 50nm半導体基板
シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.002~0.004Ω 酸化層半導体基板 シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.002~0.004Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.01~0.02Ω 酸化層 280nm 半導体基板 シリコンウェーハ 6インチ N Type100 0.01~0.02Ω 酸化層 280nm 半導体基板
シリコンウェハー 6インチ Pタイプ(100) 10~20Ω 酸化層 300nm 半導体基板 シリコンウェハー 6インチ Pタイプ(100) 10~20Ω 酸化層 300nm 半導体基板
Silicon wafer 6inch P/N Type(100) 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate Silicon wafer 6inch P/N Type(100) 1~10Ω Oxide Layer Semiconductor Substrate
シリコンウェハ 4インチ N型(100) 0.01~0.02Ω 金層 100nm 半導体基板 シリコンウェハ 4インチ N型(100) 0.01~0.02Ω 金層 100nm 半導体基板
シリコンウェハ 4インチ N型(111) 6~12Ω 銀層 100nm 半導体基板 シリコンウェハ 4インチ N型(111) 6~12Ω 銀層 100nm 半導体基板