シリコンウェハ 4インチ Pタイプ(100) 0.005-0.01Ω ニッケル層 1000nm 半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェハ 4インチ Pタイプ(100) 0.005-0.01Ω ニッケル層 1000nm 半導体基板

セール価格$59.00 USD
アイテム数:1 アイテム
仕様:P(100) 525um Nickel Layer 100nm
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♦️ 研究・実験用の高品質シリコンウエハー。
♦️ 少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
♦️世界中への発送、安全な支払い、豊富な在庫
♦️最短1週間以内に配達されます。FedEx、DHL、UPSなどで発送されます。
金属層ウェーハ仕様:
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: P;
  • ドーパント:B;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.005~0.01Ω
  • 厚さ:525um±25;
  • ニッケル層:1000nm;
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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