シリコンウェーハ 2インチ N型(100) 0.002~0.004Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 2インチ N型(100) 0.002~0.004Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 2インチ N型(100) 0.002~0.004Ω 酸化膜半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 2インチ N型(100) 0.002~0.004Ω 酸化膜半導体基板

セール価格$26.90 USD
仕様:N(100) Oxide Layer 100nm
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質シリコンウエハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
♦️世界中への発送、安全な支払い、豊富な在庫
♦️最短1週間以内に配達されます。FedEx、DHL、UPSなどで発送されます。
シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 2インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: P;
  • ドーパント:B;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.005〜0.009Ω;
  • 厚さ:500um±25;
  • 酸化層:280nm /300nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;
  • サイズ: 2インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント:As;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.005〜0.009Ω;
  • 厚さ:500um±25;
  • 酸化層:300nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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