シリコンウェーハ 3インチ P/Nタイプ 10~20Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 3インチ P/Nタイプ 10~20Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 3インチ P/Nタイプ 10~20Ω 酸化膜半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 3インチ P/Nタイプ 10~20Ω 酸化膜半導体基板

セール価格$27.50 USD
仕様:P(100) Oxide Layer280nm
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質シリコンウエハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
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シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 3インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: P;
  • ドーパント:B;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:10〜20Ω;
  • 厚さ: 500um±25/525um±25;
  • 酸化層:280nm/300nm/500nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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