シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板
シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 4 インチ P/N タイプ 0.001~0.005Ω 酸化層半導体基板

セール価格$32.90 USD
仕様:P(100) 525um Oxide Layer 100nm
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質シリコンウエハー。
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シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: P;
  • ドーパント:B;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.001〜0.005Ω;
  • 厚さ:525um±25;
  • 酸化膜:500nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント:As;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.001〜0.005Ω;
  • 厚さ:525um±25;
  • 酸化膜:300nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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