シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板
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シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 4インチ N型 0.01~0.02Ω 酸化層半導体基板

セール価格$29.50 USD
仕様:N(100) 525um 酸化物層300nm
アイテムの数:1 アイテム
数量:
♦️研究実験用の高品質シリコンウェーハ。
♦️少量、特殊仕様品、カスタマイズサービスを提供します
シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 4インチ。
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント: Sb;
  • 方向:100;
  • 抵抗率: 0.01~0.02Ω;
  • 厚さ: 450um±25/525um±25;
  • 酸化物層: 280nm /300nm (両面)。
  • TTV<10um ;
  • 表面: 研磨;
  • 裏面: エッチング。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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