シリコンウェーハ 4インチ Nタイプ 0.01~0.02Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ Nタイプ 0.01~0.02Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ Nタイプ 0.01~0.02Ω 酸化膜半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 4インチ Nタイプ 0.01~0.02Ω 酸化膜半導体基板

セール価格$29.50 USD
仕様:N(100) 525um Oxide Layer100nm
アイテム数:1 アイテム
数量:
♦️研究・実験用の高品質シリコンウエハー。
♦️少量生産、特殊仕様製品、カスタマイズサービスもご提供いたします
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シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント:Sb;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:0.01〜0.02Ω;
  • 厚さ: 450um±25/525um±25;
  • 酸化層:280nm /300nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;

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