글로벌 인공지능 메모리 시장의 경쟁은 한국의 대표 반도체 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 12단 High Bandwidth Memory 4 Extended, 즉 HBM4E의 샘플 출하를 공식적으로 시작하면서 중대한 분기점에 도달했습니다. 이번 이정표는 Nvidia, Advanced Micro Devices, Google을 비롯한 주요 인공지능 가속기 설계사들을 대상으로 엄격한 고객 인증 단계가 시작됐음을 의미하며, 차세대 데이터센터와 하이퍼스케일 인프라를 위한 새로운 하드웨어 기준을 세우고 있습니다.
삼성전자는 포괄적인 반도체 통합 역량을 바탕으로 선제적 우위를 확보했으며, 2026년 5월 29일 업계 최초 샘플 배송을 발표했습니다. 삼성의 12단 HBM4E는 삼성 파운드리가 제조한 독자적인 4나노 로직 베이스 다이와 결합된, 업계 최첨단 6세대 10나노급 Dynamic Random Access Memory 공정인 1c를 기반으로 합니다. 이 통합 구조는 핀당 초당 14기가비트의 안정적인 데이터 전송 속도를 구현하며, 최대 초당 16기가비트까지 확장 가능합니다. 이 아키텍처는 단일 스택당 최대 초당 3.6테라바이트의 놀라운 메모리 대역폭과 48기가바이트의 개별 스택 용량을 제공하며, 이는 이전 세대 대비 30% 증가한 수치입니다. 삼성은 고급 저전력 설계 프레임워크와 구조적 패키지 최적화를 통해 전력 효율을 16% 향상시키고, 이전 세대보다 열 저항 특성을 14% 이상 개선했습니다. 향후 삼성은 다양한 고객의 처리 워크로드에 맞춰 32기가바이트 8단 및 64기가바이트 16단 구성을 제공하며 생태계를 확장할 계획입니다.
동시에 SK하이닉스는 2026년 6월 18일 12단 HBM4E 샘플을 신속하게 출시하며 대응했고, 풀스택 인공지능 메모리 공급업체로서의 입지를 강화했습니다. SK하이닉스의 구현 제품은 핀당 최대 초당 16기가비트의 데이터 처리 속도를 달성하며, 이전 세대 대비 전력 효율을 20% 이상 끌어올려 대규모 언어 모델의 학습과 추론에 핵심적인 데이터 처리 처리량을 크게 높였습니다. 고밀도 고성능 컴퓨팅에서 본질적으로 발생하는 심각한 발열 문제를 해결하기 위해 SK하이닉스는 독자적인 Advanced Mass Reflow Molded Underfill 패키징 기술을 적용했습니다. 이 공정은 32기가비트 다이를 12층으로 정밀 적층해 총 48기가바이트 용량을 구현하는 동시에, 표준 구성 대비 구조적 열 저항을 17% 낮춥니다. 업계 보고서에 따르면 SK하이닉스는 3나노 파운드리 베이스 다이와의 협업 가능성을 포함한 첨단 공정 노드를 활용해 초당 4.0테라바이트급 대역폭을 목표로 하고 있습니다. 두 회사가 고객 배포 일정에 맞춰 본격적인 양산 체제로 나아가면서, 이 치열한 기술 경쟁은 전 세계 인공지능 혁신을 뒷받침하는 컴퓨팅 인프라에 전례 없는 속도, 효율, 열 안정성의 도약을 가져올 것입니다.
