STMicroelectronics는 새로운 700볼트 PowerGaN 트랜지스터 제품군인 "700볼트 PowerGaN"의 출시를 발표했습니다. 이 갈륨 나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터는 까다로운 애플리케이션에서 더 높은 효율과 전력 밀도를 구현하도록 설계되었습니다. 1,000개 단위 주문의 경우 가격은 개당 약 0.63달러에서 2.25달러 사이입니다.
이 새로운 PowerGaN 시리즈는 높은 신뢰성과 고출력 동작이 요구되는 애플리케이션을 겨냥합니다. 기존 실리콘 솔루션과 비교했을 때, 갈륨 나이트라이드 기술은 더 작고 가벼우며 더 낮은 온도에서 동작하는 시스템을 가능하게 합니다. 이는 현저히 낮은 도통 손실과 특히 고주파에서 에너지 손실을 최소화하는 뛰어난 스위칭 특성을 통해 실현됩니다. 주요 적용 분야에는 로보틱스, 산업용 전원 공급장치, 그리고 발전, 송전, 배전 및 에너지 저장 시스템에 맞춘 스마트 그리드 컨버터가 포함됩니다.
기술적으로 이 제품군의 갈륨 나이트라이드 HEMT 소자는 6~29암페어의 연속 전류 범위를 지원합니다. Rds-on으로 알려진 온저항은 53~270밀리옴 범위입니다. 또한 이 트랜지스터는 내부 정전용량이 매우 작고 게이트 전하도 낮습니다. 게이트 전하에 온저항을 곱한 값으로 정의되는 성능 지표인 Figure of Merit는 기존 실리콘 제품을 크게 상회합니다. 기존 실리콘 MOSFET의 직접 대체용으로 설계된 이 PowerGaN 시리즈는 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 합니다. 이러한 주파수 증가는 관련 자기 부품과 수동 부품의 크기를 크게 줄일 수 있게 하며, 궁극적으로 전체 전력 밀도의 현저한 향상에 기여합니다.
STMicroelectronics는 산업 및 전력 관리 부문에서 효율성과 소형화에 대한 진화하는 요구를 충족하는 솔루션을 제공하며 광대역갭 기술의 한계를 계속 넓혀가고 있습니다.
