미쓰비시 일렉트릭은 구마모토현 기쿠치시 시스이 공장의 새로운 8인치 실리콘 카바이드(SiC) 제조 시설 완공으로 전력 디바이스 전략에서 중요한 이정표를 세웠습니다. 건물은 10월 초에 완공되었으며, 설비 설치를 거쳐 11월에 가동을 시작할 예정입니다.
이번 신규 시설은 생산 효율을 높이고 고성능 전력 반도체에 대한 증가하는 수요에 대응하기 위해 핵심적인 조치인 SiC 웨이퍼 크기 확대를 추진하는 데 있어 미쓰비시 일렉트릭에 중요한 단계입니다. 회사는 2026년에 샘플 출하를 목표로 하고 있으며, 본격적인 양산은 2027년경 시작하는 것을 목표로 하고 있습니다.
미쓰비시 일렉트릭은 이미 구마모토, 히로시마, 효고에 3개의 전공정 전력 디바이스 시설을 운영하고 있지만, 시스이 공장의 새 건물은 대구경 SiC 생산을 전담하는 네 번째 거점입니다.
전기차(EV) 시장 성장 둔화로 인해 일시적으로 설비 투자가 억제되는 상황에서도 이번 신규 SiC 시설의 가동은 계획대로 정확히 진행되고 있다는 점이 주목할 만합니다. 이는 SiC 전력 디바이스 기술을 발전시키고 글로벌 시장에서의 입지를 공고히 하려는 미쓰비시 일렉트릭의 확고한 의지를 보여줍니다.
