Intel은 자사의 1.8나노미터급 공정 기술의 고급 버전인 Intel 18A-P를 공식 발표하고, 리스크 생산을 시작했습니다. 이 새로운 노드는 원래 Intel 18A의 견고한 기반 위에 구축되었으며, RibbonFET 게이트-올-어라운드 트랜지스터, PowerVia 후면 전력 공급, 180~160나노미터 범위의 셀 높이, 50나노미터 Contacted Poly Pitch와 같은 핵심 구조 혁신을 계승합니다.
여러 트랜지스터 옵션을 도입함으로써 Intel은 성능 향상과 전력 소비 감소를 동시에 성공적으로 달성했습니다. 표준 Intel 18A와 비교해 18A-P 버전은 성능이 9% 향상되고 전력 소비는 18% 감소합니다. 기술적 개선 사항으로는 열 저항이 20~40% 감소하고 비아 저항이 10~30% 개선된 점이 포함됩니다. 또한 P형 금속 산화막 반도체 이동성을 향상하기 위한 스트레인 엔지니어링을 통해 트랜지스터 효율이 높아졌습니다. 전 세계 데이터 센터와 인공지능 가속기가 전례 없는 에너지 효율과 고밀도 컴퓨팅 역량을 동시에 요구하는 중요한 시점에 이러한 최적화가 이루어졌습니다.
