2inch 사파이어 웨이퍼 위 GaN PG 질화갈륨 반도체 기판

♦️연구 및 실험용 고품질 GaN 웨이퍼.

♦️소량 및 특수 규격 제품과 맞춤형 서비스 제공

♦️전 세계 배송, 안전한 결제, 풍부한 재고.

♦️최단 1주 이내 배송. FedEx, DHL, UPS 등으로 발송.

사파이어 기판 GaN 사양:

• 기판:사파이어 ；

• 직경: 50.8+0.1mm ;

• 방향: C면에서 M면 방향으로 0.2 +0.1° ;

• 두께: 430+15um ;

• 오리엔테이션 플랫:A면 10.25° ;

• OF 길이: 16+1 mm；

• 전면: CMP Ra ≤ 0.2nm；

• 후면: 래핑 (Ra: 0.6 ~ 1.2um)；

• TTV: ≤10um；

• 보우：-10~0um；

• 워프: ≤ 10um ;

• 레이저 마킹: 있음；

• 에피웨이퍼 구조

• 2층:N-GaN 2~3um;

• 1층:버퍼 2~3um;

• 0층: 기판;

• 에피택시 특성

• 총 에피택시 두께:5~6um;

• 두께 표준편차<3% ;

• XRD GaN (002): ≤100 arcsec;

• XRD GaN (102)≤100 arcsec ;

• 전위 밀도 :~ 1e7 cm-2;

• 전도형:N형;

• 비저항:≤0.1 (ohm-cm);

• 표면 거칠기:Ra ≤ 0.5 nm;

• 휨≤ 90 um;

이 새로운 사파이어 기판 GaN의 결정 품질은 GaN 기판과 비슷한 수준입니다.

현재 PQGaN은 기판으로 사용할 수 있는 고품질 단층 GaN 소재입니다. 고객은 그 위에 GaN 구조를 추가로 성장시킬 수 있습니다.

또한 필요한 경우 고객이 지정한 GaN 성장 구조를 PQGaN 기판 위에 대신 제작해 드릴 수 있습니다.

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