Novel Crystal Technology ra mắt wafer gallium oxide 150 milimet cho điện tử công suất thế hệ mới

Ngành công nghiệp bán dẫn đang chứng kiến một bước chuyển mình mang tính bước ngoặt khi Novel Crystal Technology chính thức công bố sẽ bắt đầu giao mẫu wafer Beta Gallium Oxide 150 millimeter (6 inch) từ tháng 3 năm 2026. Cột mốc này đánh dấu một bước nhảy vọt đáng kể so với các tiêu chuẩn 100 millimeter hiện nay, đưa Beta Gallium Oxide trở thành một đối thủ kế nhiệm đáng gờm của Silicon Carbide và Gallium Nitride trong thị trường điện tử công suất cao.

Beta Gallium Oxide sở hữu bandgap vượt trội so với các vật liệu wide-bandgap truyền thống như Silicon Carbide và Gallium Nitride. Tính chất vật lý này cho phép thiết bị chịu được điện áp cao hơn nhiều với tổn hao năng lượng thấp hơn, khiến nó trở thành ứng viên lý tưởng cho bộ biến tần xe điện, lưới năng lượng tái tạo và các ứng dụng công nghiệp điện áp cao. Tuy nhiên, con đường đến khả năng thương mại từ lâu vẫn phụ thuộc vào việc đạt được đường kính wafer lớn hơn để giảm chi phí sản xuất.

Novel Crystal Technology đã thành công mở rộng phương pháp Edge-defined Film-fed Growth (EFG) độc quyền của mình, vốn trước đây đã được hoàn thiện trên các dây chuyền sản xuất 100 millimeter, để đạt mốc 150 millimeter. Theo lộ trình đầy tham vọng của công ty, việc giao mẫu wafer epitaxial 150 millimeter dự kiến sẽ diễn ra vào năm 2027, với sản xuất hàng loạt quy mô đầy đủ nhắm tới năm 2029. Mốc thời gian này phù hợp với làn sóng tăng vọt toàn cầu về nhu cầu đối với các hệ thống quản lý điện năng hiệu quả hơn. Khi ngành công nghiệp chuyển dần sang định dạng 150 millimeter và cuối cùng là 200 millimeter, chi phí trên mỗi chip dự kiến sẽ giảm mạnh, cuối cùng cho phép Beta Gallium Oxide thách thức vị thế thống trị của Silicon Carbide trong chuỗi cung ứng toàn cầu.