ROHM gần đây đã công bố một bước tiến đáng kể trong lĩnh vực điện tử công suất với việc phát triển module Silicon Carbide (SiC) 2-trong-1, được thiết kế khéo léo bằng cách liên kết hai package riêng biệt. Cấu hình đổi mới này hứa hẹn sẽ tạo ra bước ngoặt cho ngành thiết bị công nghiệp, trực tiếp đáp ứng nhu cầu cấp thiết về các thiết bị nhỏ gọn và hiệu quả hơn.
Module mới được thiết kế nhằm giảm tổng số lượng linh kiện và diện tích lắp đặt cần thiết cho các ứng dụng công nghiệp. Bằng cách hợp nhất chức năng của hai package rời, ROHM giúp các nhà sản xuất đạt được mức thu nhỏ thiết bị đáng kể và giảm rõ rệt thời gian lắp đặt.
Hiện tại, module đang được sản xuất hàng loạt với năng lực 10,000 đơn vị mỗi tháng. Hơn nữa, ROHM cũng thể hiện cam kết với ngành ô tô bằng việc bắt đầu giao mẫu các sản phẩm đáp ứng các tiêu chuẩn độ tin cậy nghiêm ngặt của ô tô từ tháng 10.
Module SiC mới được thiết kế đặc biệt để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về điện áp cao hơn trong các mạch đa mức, chẳng hạn như cấu trúc 3-level NPC và 3-level T-NPC. Cấu trúc độc đáo, liên kết hai package TO-247, cho phép lắp đặt các chip lớn hơn. Kết hợp với cấu trúc nội bộ độc quyền, thiết kế này đạt được điện trở dẫn thấp hơn.
Hơn nữa, ROHM đã tối ưu hóa tỉ mỉ cấu trúc package, giúp giảm khoảng 15% điện trở nhiệt và giảm đáng kể 50% độ tự cảm. Khi sử dụng trong cấu hình half-bridge, module đạt mật độ công suất cao gấp 2.3 lần so với việc dùng hai package TO-247 rời. Điều này có nghĩa là các mạch chuyển đổi công suất tương đương giờ đây có thể được hiện thực hóa trong khoảng một nửa thể tích.
Dòng sản phẩm rất đa dạng, bao gồm bốn mã linh kiện cho mỗi mức chịu điện áp 750V và 1200V. Tính linh hoạt này đảm bảo khả năng tương thích với nhiều cấu hình mạch, bao gồm mạch NPC và bộ chuyển đổi DC/DC, mang đến cho kỹ sư một công cụ mạnh mẽ cho các thiết kế thế hệ mới.
