Advantest Leverages AI for Enhanced Semiconductor Testing

Advantest 利用人工智能提升半导体测试性能

Advantest 在美洲的地区总部已宣布一项战略举措,将其用于收集和分析半导体测试数据的“ACS 实时数据基础设施(ACS RTDI)”转型为由 AI 驱动的测试系统。此项转型通过将其与 NVIDIA 的先进 AI 技术整合实现。 该计划的核心是将 NVIDIA 最新的 Blackwell GPU 架构引入量产流程。该系统旨在对测试阶段获得的数据进行实时分析。通过利用这种实时分析,Adva...
Nagoya University and Partners Succeed in Prototyping 6-inch P-type SiC Wafers via Solution Growth Method

名古屋大学及其合作伙伴通过溶液生长法成功试制6-inch P型 SiC 晶圆

由Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、产学研法人 产业技术综合研究所(AIST)和名古屋大学组成的研究小组,利用溶液生长法结合先进的模拟技术,成功试制出6英寸p型及6英寸和8英寸n型碳化硅(SiC)晶圆。 这一成果实现了p型SiC晶圆的大直径生产,攻克了此前难以实现的技术难题,标志着一项重要突破。该进展使下一代超高压绝缘栅双极型晶体管...
Tohoku University and NIMS Breakthrough: A Robust Amorphous Oxide Cathode for Magnesium Rechargeable Batteries

Tohoku University 与 NIMS 的突破:用于镁可充电电池的高稳定性非晶氧化物正极

来自东北大学和日本物质材料研究机构(NIMS)的研究人员成功开发出一种用于镁可充电电池(RMBs)的非晶氧化物正极材料,该材料可在室温下充放电超过200次。这一重大成就通过利用丰富的镁资源解决了资源限制问题,并实现了高电压运行,推动了下一代电池技术的发展。 以镁克服资源限制 镁比锂更为丰富,是一种颇具吸引力的替代能源储存选项,为克服当前锂离子电池固有的资源限制提供了可行路径。然而,开发能够可...
Ricoh Accelerates Mass Production of Perovskite Solar Cells: Targeting Over 300 MW Annual Output by FY2030

理光加速钙钛矿太阳能电池的量产:目标在FY2030财年实现年产能超过300 MW

Ricoh 正在利用 NEDO(新能源与产业技术开发组织)的绿色创新基金,积极开发钙钛矿太阳能电池(PSC)的量产技术。公司设定了到2030财年实现年产能超过300 MW的雄心目标。 在这一重大举措中,Ricoh 正与大和房屋(Daiwa House)及 NTT Anode Energy 合作。该合作旨在关注若干关键领域:提高 PSC 的转换效率以及改进安装与设计技术。 该示范项目计划为期五...
Poland Eager to Boost Semiconductor Production, Strengthening European Cooperation

波兰积极提升半导体产能,加强与欧洲的合作

波兰投资与贸易署近期主办了“波兰-日本投资论坛”,旨在向日本企业和投资者介绍波兰的支持体系与投资项目。论坛的重要议题之一是围绕半导体与人工智能(AI)的军民两用合作。 一位波兰副部长强调了本地半导体生产的迫切需求,指出波兰志在积极吸引制造中心,既出于国家安全考量,也基于该国优越的地理位置。这一积极立场凸显了波兰致力于在全球科技格局中发挥更重要作用的决心。 与此同时,论坛上的日本专家强调了利用...
NAND SSD Prices Continue to Surge: Data Center Demand and Supply Constraints Drive Q4 Forecast

NAND SSD 价格持续飙升:数据中心需求与供应受限推高第四季度预测

据知名研究机构 TrendForce 报告,企业级 NAND 闪存的合约价格预计在 2025 年 10 至 12 月期间环比上涨 5-10%。这一预期增幅高于 7 至 9 月季度的增长率。 这一持续的价格上涨主要由两个关键因素推动。首先,数据中心运营商对 SSD 采购量大幅增加。作为数字经济的支柱,数据中心在不断扩展并升级其存储基础设施。其次,由于持续的 产能问题,市场在获取 Nearlin...
Mitsubishi Electric Ramps Up SiC Capacity with New 8-Inch Facility

Mitsubishi Electric 通过新建8-Inch厂房提升SiC产能

Mitsubishi Electric 已在其位于熊本县菊池市的Shisui Plant完成了一座新的8英寸碳化硅(SiC)制造设施,为其功率器件战略迈出重要一步。该建筑已于十月初竣工,设备安装完成后计划于十一月开始投产。 该新设施是Mitsubishi Electric扩大SiC晶圆尺寸的关键一步,此举旨在提高生产效率并满足对高性能功率半导体日益增长的需求。公司计划于2026年开始样品出货...
SCREEN and IBM Forge Deeper Partnership to Tackle Next-Gen EUV Challenges

SCREEN和IBM深化合作,共同应对下一代EUV挑战

SCREEN半导体解决方案宣布与IBM扩大合作协议,专门开发用于下一代极紫外光(EUV)光刻的清洗工艺。在双方于2022年11月启动的联合开发基础上,此次扩展合同旨在大幅加速解决与高数值孔径(High-NA)EUV相关的关键问题——该技术被认为是实现2nm以下制程节点制造的必备手段。 向High-NA EUV的转变使清洗工艺的重要性显著提升。此前可忽略不计的极微小污染物和显微缺陷,现在可能严...
Kyoto Institute of Technology Focuses on CH4 Utilization in GaN Etching Process

京都工艺纤维大学聚焦CH4在GaN刻蚀工艺中的利用

京都工艺大学(KIT)最近将注意力转向利用甲烷(CH4)等离子体的GaN刻蚀工艺,该工艺在降低环境影响方面具有显著潜力。为加速实际应用,KIT的研究人员正积极探索使用该CH4等离子体技术实现高效GaN刻蚀的最佳条件。 目前,GaN刻蚀主要依赖氯(Cl)为基础的刻蚀气体。然而,这一传统方法存在若干缺点,包括可能对材料造成损伤、毒性及腐蚀性等。在半导体制造中,寻求更安全、更可持续的替代方案显得尤...