Der Übergang zu acht Zoll großen Siliziumkarbid-Wafern markiert einen bedeutenden Schritt für STMicroelectronics, da das Unternehmen seine Produktionskapazitäten in der Halbleiterindustrie ausbauen will. Bis Ende Juni 2027 plant das Unternehmen, von sechs Zoll großen Wafern auf acht Zoll große Wafer umzustellen – ein Schritt, der die Fertigungseffizienz optimieren und die steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid-Bauelementen in verschiedenen Branchen unterstützen dürfte.
Im Rahmen dieser strategischen Neuausrichtung verlagert STMicroelectronics seine Produktion von den bestehenden sechs Zoll großen Siliziumkarbid-Fertigungsanlagen in Catania, Italien, und Singapur auf eine konsolidierte Fabrik, die das Substratwachstum bis hin zur Modulverpackung vollständig integriert. Diese neue hochmoderne Anlage, bekannt als Silicon Carbide Campus, befindet sich in Catania, Italien. Durch diese vertikal integrierte Lieferkette will STMicroelectronics seine Führungsposition im Halbleitermarkt weiter stärken.
Gleichzeitig konzentriert sich das Unternehmen darauf, den asiatischen Markt für Elektrofahrzeuge zu bedienen, indem es speziell für China eine Dual-Track-Strategie umsetzt. Die acht Zoll großen Siliziumkarbid-Wafer werden in China im Rahmen eines Joint Ventures mit Sanan Optoelectronics lokal produziert. Diese Zusammenarbeit führt zur Errichtung eines neuen Fertigungswerks in Chongqing, das vor allem den chinesischen Automobil- und Industriesektor beliefern wird.
Neben Innovationen im Bereich Siliziumkarbid erweitert STMicroelectronics auch sein Produktportfolio für Galliumnitrid. Die Anlage in Catania wird sich auf die Galliumnitrid-Fertigung konzentrieren, während Kooperationen mit Unternehmen wie Innoscience die lokale Produktion für den chinesischen Markt erleichtern werden. Die Einführung von OmniGaN, das bahnbrechende Technologie nutzt, um die traditionell mit Galliumnitrid-Transistoren verbundene Durchbruchspannungsgrenze von sieben Volt zu überschreiten, zeigt das Engagement des Unternehmens, seine technologische Weiterentwicklung voranzutreiben.
Darüber hinaus skaliert STMicroelectronics seine Serien wie MasterGaN und VIPerGaN und integriert zentrale Funktionen wie Gate-Treiber und Steuerlogik, um Energieeffizienz und Leistung zu verbessern. Insgesamt positioniert sich STMicroelectronics durch Fortschritte bei acht Zoll großen Siliziumkarbid-Wafern und die Erweiterung seines Galliumnitrid-Portfolios als ein entscheidender Akteur in der Zukunft der Halbleitertechnologien.
