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Silicon wafer 1inch P/N Type(100/111)  Single/Double Side Polished Semiconductor Substrate
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung.
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
Silizium-Wafer 3inch N-Typ (100/111) einseitig/beidseitig poliertes Halbleiter-Substrat - Soka Technology Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
Silizium-Wafer 3inch N-Typ (100/111) einseitig/beidseitig poliertes Halbleiter-Substrat - Soka Technology Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
Silikonwafer 4-Zoll FZ N-Typ (111) 50~70Ω einseitig polierter Substrat - Soka Technology Siliziumwafer 4inch P/N Typ (100) 1~5Ω in Schutzbehälter verpackt für Halbleiterforschung.
Silikonwafer 4-Zoll FZ N-Typ (111) 50~70Ω einseitig polierter Substrat - Soka Technology Siliziumwafer 4inch P/N Typ (100) 1~5Ω in Schutzbehälter verpackt für Halbleiterforschung.
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology Siliziumwafer 4inch P-Typ (100) SiN auf SiO₂-Substrat – hochwertiges Forschungsmaterial.
Siliziumwafer 4inch P-Typ (100) SiN auf SiO₂-Substrat – hochwertiges Forschungsmaterial. Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 4inch P-Typ (100) SiN auf SiO₂-Substrat – hochwertiges Forschungsmaterial. Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 4inch P-Typ (100) SiN auf SiO₂-Substrat – hochwertiges Forschungsmaterial. Siliziumwafer 3 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111), ein- oder doppelseitig polierter Halbleitersubstrat in Schutzverpackung. Siliziumwafer 3inch P-Typ (100/111) einseitig/beidseitig polierter Halbleiter-Substrat - Soka Technology
4-Zoll-Siliziumwafer, P-Typ (100) mit SiN auf SiO₂-Substrat in Aufbewahrungsbehältern, aus hochwertigen Materialien. Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht-Halbleitersubstrat - Soka Technology