Die Landschaft der fortschrittlichen Leistungshalbleiter steht vor einem tiefgreifenden Wandel, da chinesische Hersteller die Grenzen der Materialwissenschaft weiter verschieben. New Metals and Chemicals Corporation wird dem japanischen Markt einen 12-Zoll-(300-Millimeter)-Siliziumkarbid-Wafer vorstellen, der vom führenden chinesischen Substrathersteller Tangke Blue entwickelt wurde. Dieses bahnbrechende Produkt wird auf dem Advanced Power Semiconductor Subcommittee in der Stadt Toyama präsentiert.
Tangke Blue, bekannt für seine hochwertige und kosteneffiziente Produktion, ist ein bedeutender Akteur auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Wafer. Das Unternehmen plant, die Lieferung dieser massiven 12-Zoll-Wafer Ende 2024 aufzunehmen, mit einem anvisierten Markteintritt in die japanische Lieferkette bis 2026. Dieser Schritt steht im Einklang mit dem entscheidenden Branchentransfer von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern zu größeren Durchmessern, der für die Skalierung der Produktion, die Senkung der Herstellungskosten pro Die und die Deckung der stark steigenden weltweiten Nachfrage aus Elektrofahrzeugen (EVs) und erneuerbaren Energiesystemen unerlässlich ist.
Über den Bereich der Leistungselektronik hinaus diversifiziert das Unternehmen auch sein Angebot. Tangke Blue wird Siliziumkarbid-Wafer für Augmented-Reality-Brillen einführen, wobei der Lieferbeginn für 2026 erwartet wird. Dies unterstreicht die überlegenen Eigenschaften des Materials – darunter hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende elektrische Leistung – und macht es ideal für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen außerhalb der klassischen Leistungsumwandlung.
Um diese aggressive Marktexpansion zu unterstützen, erhöht Tangke Blue seine Produktionskapazität erheblich und plant, seine jährliche Produktionskapazität bis 2028 deutlich auszubauen. Dieser schnelle Kapazitätsausbau unterstreicht das Vertrauen des Marktes in die langfristige Nachfrage nach Siliziumkarbid.
Darüber hinaus wird die Ausstellung einen innovativen Ansatz für das Kristallwachstum vorstellen: einen Silicon-Carbide-Wafer nach dem Lösungsverfahren, entwickelt vom chinesischen Unternehmen JingGe LingYu Semiconductor. Das Lösungsverfahren verspricht im Gegensatz zur herkömmlichen Physical Vapor Transport-(PVT)-Technik eine geringere Defektdichte und eine einfachere Skalierung des Durchmessers. Obwohl diese Technologie für Anwendungen in Hochspannungsbauelementen wie Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren großes Potenzial birgt, weist der Text darauf hin, dass es weiterhin Herausforderungen in Bezug auf die Kristallqualität gibt, was darauf hindeutet, dass sich die Technologie noch in einer Verfeinerungsphase befindet. Diese Aufnahme zeigt die zweigleisige Innovationsstrategie im chinesischen Halbleiter-Ökosystem: die Kommerzialisierung mit ausgereiften Technologien (wie 12-Zoll-Wafern) voranzutreiben und gleichzeitig in die Materialwissenschaft der nächsten Generation (wie das Lösungsverfahren) zu investieren. Der weltweite Siliziumkarbid-Markt, dessen Volumen bis 2030 voraussichtlich 2,5 Milliarden $ überschreiten wird, dürfte von diesen Fortschritten in der Produktion großdurchmessriger, hochwertiger und kosteneffizienter Substrate stark beeinflusst werden.
