Shin-Etsu Chemical verzeichnet eine robuste Nachfrage nach seinen proprietären QST-(Qromis Substrate Technology)-Substraten, einem kritischen Material für das Wachstum von Galliumnitridkristallen. Dieser Anstieg wird vor allem durch die beschleunigte Entwicklung von Leistungshalbleitern der nächsten Generation angetrieben. Das Unternehmen hat sein Sortiment erfolgreich um 300-Millimeter-Wafer erweitert, zusätzlich zu den bestehenden 6-Zoll- und 8-Zoll-Optionen, und damit einen bedeutenden Meilenstein in der Skalierbarkeit der Halbleiterfertigung erreicht.
Der Fokus der Branche verlagert sich derzeit von traditionellen lateralen Leistungshalbleitern hin zu vertikalen Leistungshalbleiterarchitekturen. Vertikale Strukturen sind entscheidend für die Bewältigung höherer Spannungen und Ströme und daher ideal für Elektrofahrzeuge und industrielle Anwendungen. Um diesen Wandel zu unterstützen, setzt sich Shin-Etsu Chemical dafür ein, die Kristallqualität weiter zu verbessern. Im Rahmen einer Lizenzvereinbarung mit QROMIS, einem in den Vereinigten Staaten ansässigen Technologieunternehmen, fertigt und liefert Shin-Etsu diese Substrate nicht nur, sondern bietet auch Services für das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid an.
Der entscheidende Vorteil des QST-Substrats liegt in seinen thermischen Eigenschaften. Anders als herkömmliche Siliziumsubstrate, die unter erheblicher thermischer Fehlanpassung leiden und dadurch Verzug und Risse verursachen, verfügen QST-Substrate über einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE), der dem von Galliumnitrid nahekommt. Diese thermische Anpassung ermöglicht das Wachstum dicker, hochwertiger epitaktischer Galliumnitrid-Schichten ohne Defekte. Dieser Durchbruch ist besonders wichtig für die Herstellung großformatiger, hochspannungsfester vertikaler Leistungshalbleiter und positioniert Shin-Etsu als wichtigen Wegbereiter im Markt für hocheffiziente Leistungselektronik.
