Mitsubishi Electric hat mit der Fertigstellung einer neuen 8-Zoll-Herstellungsanlage für Siliziumkarbid (SiC) in seinem Werk Shisui in der Stadt Kikuchi, Präfektur Kumamoto, einen bedeutenden Meilenstein in seiner Strategie für Leistungsbauelemente erreicht. Das Gebäude wurde Anfang Oktober fertiggestellt und soll nach der Installation der Anlagen im November den Betrieb aufnehmen.
Diese neue Anlage ist für Mitsubishi Electric ein entscheidender Schritt, um die SiC-Wafergröße zu vergrößern – ein wichtiger Schritt, um die Produktionseffizienz zu steigern und der wachsenden Nachfrage nach Hochleistungs-Leistungshalbleitern gerecht zu werden. Das Unternehmen strebt Musterauslieferungen im Jahr 2026 an, wobei die Serienproduktion voraussichtlich um 2027 beginnen soll.
Obwohl Mitsubishi Electric bereits drei Front-End-Fertigungsstätten für Leistungsbauelemente in Kumamoto, Hiroshima und Hyogo betreibt, stellt das neue Gebäude des Werks Shisui eine vierte Basis dar, die der Produktion von SiC mit großem Durchmesser gewidmet ist.
Bemerkenswert ist, dass der Start dieser neuen SiC-Anlage trotz einer vorübergehenden Zurückhaltung bei Unternehmensinvestitionen aufgrund der Verlangsamung des Wachstums des Marktes für Elektrofahrzeuge (EV) exakt wie geplant voranschreitet. Dies unterstreicht das feste Engagement von Mitsubishi Electric, seine SiC-Leistungshalbleitertechnologie voranzutreiben und seine Position auf dem globalen Markt zu festigen.
