Eine Forschungsgruppe, bestehend aus Oxide Power Crystal, Mipox, UJ-Crystal, A-Crystal, dem National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) und der Nagoya University, hat erfolgreich 6-Zoll p-Typ- und 6- sowie 8-Zoll n-Typ-Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) prototypisch gefertigt, wobei sie die Lösungskalbmethode in Kombination mit fortschrittlicher Simulationstechnologie nutzte.
Dieser Erfolg markiert einen bedeutenden Durchbruch, da erstmals die Produktion von p-Typ-SiC-Wafern mit großem Durchmesser realisiert wurde – eine zuvor schwierige Leistung. Diese Entwicklung rückt die praktische Anwendung von Ultrahochspannungs-Insulated-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) der nächsten Generation näher an die Realität.
Zu den Forschungsarbeiten gehörten die Züchtung hochwertiger Kristalle durch Simulation und die Festlegung optimaler Bedingungen sowie die Entwicklung von Massenproduktionsprozessen. Das Projekt erhielt Unterstützung von Japans New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO).
Dieser Erfolg beim Hochskalieren von p-Typ-SiC-Wafern ist entscheidend für den Fortschritt der Leistungselektronik und ermöglicht effizientere Bauelemente mit höheren Spannungen, die für energiesparende Technologien und zukünftige Energiesysteme unerlässlich sind.
