Onsemi, ein führender Anbieter von Leistungs- und Sensortechnologien, hat offiziell die Einführung seines neuen Leistungsportfolios auf Basis von Galliumnitrid angekündigt, das unter dem Markennamen GaNEXUS firmiert. Laut Unternehmen ist diese neue Produktfamilie darauf ausgelegt, die Energieumwandlung und das Energiemanagement deutlich zu verbessern, und ermöglicht in bestimmten Anwendungen im Vergleich zu herkömmlichen auf Silizium basierenden Lösungen eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte.
Zum ersten Angebot gehören GaNEXUS Field-Effect-Transistoren, die einen breiten Spannungsbereich von 40 volts bis 650 volts unterstützen. Zusätzlich stellte onsemi den 650 volt GaNEXUS Smart vor, der wesentliche Schutzfunktionen direkt in das Bauteil integriert. Die Hauptstärke des GaNEXUS-Portfolios liegt in seiner Synergie mit der bestehenden Treo-Plattform von onsemi. Die Treo-Plattform ist eine hochintegrierte Architektur, die Sensing-, Steuerungs-, Schutz- und Leistungsmanagementfunktionen vereint.
Durch die Kombination der hohen Schaltgeschwindigkeit und der geringen Verluste von Galliumnitrid mit der Treo-Plattform können Ingenieure hochzuverlässige System-Level-Leistungslösungen realisieren. Dieser integrierte Ansatz vereinfacht die Designkomplexität, beschleunigt Entwicklungs- und Qualifizierungszyklen, reduziert den Aufwand für Wärmetechnik und Kühlung und optimiert die Gesamtleistung entlang der gesamten Power-Delivery-Kette.
