Onsemi hat im Dezember 2025 offiziell seine neueste Serie „EliteSiC MOSFET“ vorgestellt und damit einen Durchbruch in der Kühlverpackungstechnologie erzielt. Diese neuen Komponenten wurden speziell für anspruchsvolle Anwendungen wie Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und industrielle Stromversorgungen entwickelt und adressieren eine der kritischsten Herausforderungen der Leistungselektronik: das Wärmemanagement.
Die Kerninnovation liegt in der Verbindung der leistungsstarken Siliziumkarbid-Technologie von Onsemi mit dem fortschrittlichen Top-Cool-Gehäuse „T2PAK“. Anders als herkömmliche Designs, die die Wärme nach unten durch die Leiterplatte ableiten, ermöglicht das T2PAK-Gehäuse eine direkte Wärmeübertragung von der Oberseite des Chips zum Kühlkörper des Systems. Dieser direkte thermische Pfad reduziert den Wärmewiderstand erheblich und verhindert einen Wärmestau innerhalb der Leiterplatte selbst.
Erhältlich mit Spannungswerten von 650 Volts und 950 Volts, ermöglichen diese MOSFETs Ingenieuren, Systeme zu entwickeln, die nicht nur effizienter, sondern auch kompakter sind. Durch den Wegfall komplexer thermischer Vias in der Leiterplatte können Hersteller eine höhere Leistungsdichte und vereinfachte mechanische Designs erreichen.
Onsemi hat bestätigt, dass die ersten Auslieferungen an wichtige Kunden bereits begonnen haben. Die Massenproduktion und die Einführung zusätzlicher Produktvarianten sollen ab dem vierten Quartal 2025 schrittweise hochgefahren werden. Dieser Start markiert einen bedeutenden Fortschritt bei der Effizienz von Infrastruktur für erneuerbare Energien und der Elektromobilität.
