RIR Power Electronics, ein indisches Unternehmen, wird nach dem Erhalt von finanzieller Unterstützung von der Regierung des Bundesstaates Odisha in Bhubaneswar, Odisha, eine Halbleiter-Produktionsstätte für Siliziumkarbid (SiC) errichten. Dieser strategische Schritt markiert einen bedeutenden Meilenstein auf Indiens Weg, ein Zentrum für fortschrittliche Leistungselektronik zu werden.
RIR Power Electronics, das in Indien eine Historie als Lieferant leistungselektronischer Halbleiter nach einer Technologieallianz mit dem früheren International Rectifier hat, hat sein SiC-Geschäft deutlich ausgeweitet. Diese Beschleunigung begann mit dem Erwerb aller Anteile an Visicon Power Electronics—einem Unternehmen, das auf SiC-Wafer-Technologie spezialisiert ist—im Jahr 2021.
Das Unternehmen plant eine Gesamtinvestition von 10.4 billion yen (approximately $70 million USD), die in zwei Phasen umgesetzt wird. Die Anlage wird eine Reihe von SiC-Hochspannungsbauteilen produzieren, darunter MOSFETs, IGBTs und Dioden, mit Nennspannungen von 3.3kV bis 20kV. Diese entscheidenden Komponenten sind für Schlüsselindustrien wie Elektrofahrzeuge (EVs), erneuerbare Energien, Stromnetzinfrastruktur und industrielle Automatisierung von zentraler Bedeutung.
Diese Investition ist nicht nur eine unternehmerische Entscheidung; sie ist eine regionale Wirtschaftsoffensive. Der Bundesstaat Odisha will dieses Projekt nutzen, um sich als bedeutender Produktionsstandort für Hochspannungs-Leistungshalbleiter zu etablieren, die lokalen technologischen Fähigkeiten zu stärken und Indien fest auf der globalen SiC-Lieferkettenkarte zu verankern.
