Die 8-Zoll-SiC-MOSFET-Produktion ist die neueste Weiterentwicklung von ROHM und verbessert die Chipproduktion für Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien. Erfahren Sie mehr über diese Innovation.
ROHM Semiconductor hat offiziell einen bedeutenden Meilenstein in der Leistungselektronik bekannt gegeben: die erfolgreiche Etablierung eines Fertigungssystems für 8-Zoll-Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren. Diese zwei Jahre vor dem ursprünglichen Zeitplan erreichte Leistung wurde durch das Green Innovation Fund Project realisiert, das von der New Energy and Industrial Technology Development Organization unterstützt wird.
Der Übergang von 6-Zoll- zu 8-Zoll-Wafern ist ein entscheidender Schritt in der Halbleiterindustrie, da er pro Wafer eine größere Oberfläche ermöglicht und die Anzahl der pro Durchlauf produzierten Chips deutlich erhöht. Durch die Integration fortschrittlicher Technologien wie epitaktischem Wachstum und Fertigung mit niedrigem Einschaltwiderstand hat ROHM seine Produktionslinie erfolgreich optimiert. Die Leistung dieser Bauelemente, verifiziert durch interne Bewertungen von Leistungsmodulen, erfüllt nun offiziell die strengen Anforderungen des Projektkomitees.
Dieser Durchbruch steigert nicht nur die Produktionseffizienz, sondern versetzt ROHM auch in die Lage, die rasant wachsende weltweite Nachfrage nach hocheffizienten Leistungsbauelementen für Elektrofahrzeuge und Infrastruktur für erneuerbare Energien zu decken. Während das Unternehmen auf die Serienproduktion zusteuert, markiert diese Entwicklung einen entscheidenden Wandel hin zur frühen gesellschaftlichen Implementierung von Leistungshalbleiterlösungen der nächsten Generation.
