ROHM sichert sich Gallium-Nitrid-Unabhängigkeit durch TSMC-Technologielizenz
Die Gallium-Nitrid-Leistungshalbleitertechnologie steht im Mittelpunkt von ROHMs neuem Lizenzabkommen mit TSMC. Mit diesem strategischen Schritt soll die Eigenfertigung abgesichert werden.
Der japanische Halbleiterriese ROHM hat offiziell eine strategische Lizenzvereinbarung mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, auch bekannt als TSMC, bezüglich der Technologie für Gallium-Nitrid-Leistungsbauelemente bekannt gegeben. Dieser wegweisende Deal markiert einen bedeutenden Wandel in der Landschaft der Leistungshalbleiter. ROHM plant, TSMCs fortschrittliche Prozesstechnologie in sein Werk in Hamamatsu in Japan zu übertragen, mit dem Ziel, bis zum Jahr 2027 ein vollständiges internes Produktionssystem für Gallium-Nitrid-Bauelemente aufzubauen.
Durch die Integration des gesamten Fertigungsprozesses innerhalb der Gruppe beabsichtigt ROHM, seine Lieferkapazität und Qualitätskontrolle erheblich zu stärken. Dieser Schritt ist strategisch gut getimt, da TSMC seine Absicht bekannt gegeben hat, sich bis Juli 2027 aus dem Gallium-Nitrid-Gießereigeschäft zurückzuziehen. Der weltweite Markt für Halbleiter mit breiter Bandlücke explodiert derzeit, angetrieben von der Nachfrage nach höherer Effizienz in Elektrofahrzeugen und Rechenzentren für künstliche Intelligenz. Gallium-Nitrid wird wegen seiner Fähigkeit geschätzt, hohe Spannungen zu verarbeiten und dabei im Vergleich zu herkömmlichem Silizium Energieverluste und physische Größe zu reduzieren.
Während die bestehende Partnerschaft der beiden Unternehmen im Bereich Automotive-Gallium-Nitrid, die im Dezember 2024 begann, mit Abschluss der Technologieübertragung auslaufen wird, werden sie weiterhin bei technischen Innovationen für hocheffiziente und kompakte Energiesysteme zusammenarbeiten. Für die Branche signalisiert dies ROHMs Entschlossenheit, in der nächsten Generation der Leistungselektronik ein führender integrierter Bauelementehersteller zu werden.
