Rohm stellt SiC-MOSFET der 5. Generation mit 30 % geringerem Widerstand vor
Der SiC-MOSFET der fünften Generation von Rohm erzielt eine deutliche Verringerung des Einschaltwiderstands und steigert so die Effizienz für Elektrofahrzeuge und Rechenzentren.
Rohm, ein führender japanischer Halbleiterhersteller, hat offiziell seinen Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor der fünften Generation entwickelt. Dieser technologische Durchbruch erzielt eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um etwa 30 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen Komponenten. Die drastische Verringerung der Leistungsverluste unterstützt direkt die für Wechselrichter der nächsten Generation in Elektrofahrzeugen erforderliche Verkleinerung und höhere Leistungsabgabe und hat damit einen erheblichen Einfluss auf den globalen Trend zur Elektrifizierung von Fahrzeugen.
Angesichts der Marktdynamik und der technischen Entwicklung war die Verringerung des Einschaltwiderstands ohne Beeinträchtigung der Durchbruchspannung eine zentrale Herausforderung in der Leistungselektronik. Rohm hat dies erfolgreich durch die Optimierung sowohl der Trench-Struktur des Bauelements als auch der Fertigungsprozesse erreicht und dabei branchenführende verlustarme Leistung erzielt. Um die unmittelbare Nachfrage der Industrie zu bedienen, liefert Rohm seit letztem Jahr vorzeitig Bare Chips und wird planmäßig ab Juli 2026 mit der Bereitstellung von diskreten Bauteilen und Modulmuster beginnen.
Die Anwendungsbereiche dieser Bauelemente der fünften Generation gehen weit über Fahrzeugantriebe hinaus. Die rasche Expansion von Servern für Künstliche Intelligenz und Hyperscale-Rechenzentren hat einen enormen Druck auf die Effizienz der Stromversorgung erzeugt. Dieses neue Siliziumkarbid-Produkt ist darauf ausgelegt, die strengen Energiesparstandards dieser modernen Dateneinrichtungen zu erfüllen. Künftig plant Rohm, sein Produktportfolio über verschiedene Spannungsbereiche und Gehäusetypen hinweg zu erweitern und gleichzeitig die Designunterstützungstools zu verbessern, um die gesellschaftliche Einführung von Siliziumkarbid-Technologien weltweit zu beschleunigen.
