Samsungs gewaltige 20-Billionen-Won-F&E-Investition, um die Vormachtstellung bei Halbleitern zurückzugewinnen
Samsung Halbleiter-Investitionsstrategie konzentriert sich auf umfangreiche Investitionen in F&E und Produktionskapazitäten, um die Marktführerschaft zurückzugewinnen.
Samsung Electronics steuert auf eine wegweisende Transformation seiner Halbleiterstrategie zu. Vorsitzender Lee Jae-yong besuchte kürzlich die Forschungszentren in Giheung und Hwaseong und unterstrich damit das Engagement des Unternehmens für technologische Überlegenheit. Die Anlage in Giheung wurde als zentrales Zentrum für die künftige Forschung und Entwicklung im Halbleiterbereich festgelegt. Samsung plant, bis 2030 rund 20 Billionen Won in diesen Standort zu investieren, um seine Wettbewerbsfähigkeit durch aggressive Innovation wiederzuerlangen.
Die strategische Roadmap geht weit über F&E hinaus. Für 2026 wird Samsung voraussichtlich ein Rekordniveau bei den Investitionen erreichen. Bis 2028 sollen massive 60 Billionen Won in Phase 5 des Pyeongtaek-Komplexes fließen, der weltweit größten Halbleiterproduktionsstätte. Darüber hinaus soll das ehrgeizige Projekt des Yongin Semiconductor Clusters mit einer gewaltigen Investition von 360 Billionen Won sechs neue Fertigungsanlagen bis 2031 errichten. Dieser Schritt gilt weithin als Gegenoffensive, um die Führungsposition im Markt für High Bandwidth Memory zurückzugewinnen, in dem sich der Wettbewerb mit den Rivalen verschärft hat. Durch die Integration fortschrittlicher Lithografie- und Packaging-Technologien der nächsten Generation will Samsung seine Position als Fundament der globalen Lieferkette für Chips für Künstliche Intelligenz festigen.
