STMicroelectronics erweitert Präsenz bei Galliumnitrid und stellt Siliziumkarbid auf 8-Zoll-Wafer um
Die Expansion von Gallium-Nitrid-Halbleitern ist entscheidend für die Führungsrolle von STMicroelectronics im Bereich Leistungshalbleiter. Das Unternehmen konzentriert sich auf die Verbesserung von Produktion und Technologie.
STMicroelectronics unternimmt bedeutende Schritte, um seine Führungsposition im Leistungshalbleitermarkt zu festigen, indem das Unternehmen sein Geschäft mit Galliumnitrid (GaN) ausbaut und den Übergang der Produktion von Siliziumkarbid (SiC) auf acht-Zoll- (200-Millimeter-) Wafer beschleunigt. Dieser strategische Schritt steht im Einklang mit der weltweit steigenden Nachfrage nach hocheffizienter Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen, Rechenzentren für künstliche Intelligenz und Systemen für erneuerbare Energien.
Ein zentrales Highlight dieser Expansion ist die neue strategische Zusammenarbeit mit Innoscience, einem führenden Anbieter von Galliumnitrid auf Silizium (GaN-on-Si)-Technologie. Ab April 2025 werden die beiden Unternehmen gemeinsam Galliumnitrid-Produkte entwickeln und fertigen. Zunächst wird STMicroelectronics die fortschrittlichen Fertigungsanlagen von Innoscience in China als Foundry nutzen, um ST-Standard-Galliumnitrid-Bauelemente herzustellen. Bis 2027 soll die Partnerschaft eine dedizierte gemeinsame Produktionslinie innerhalb von STs Werk in Catania in Italien etablieren. Innoscience bringt wertvolle Expertise in dieses Vorhaben ein und hat bereits die Massenproduktion von acht-Zoll-Galliumnitrid-auf-Silizium-Wafern erreicht.
Gleichzeitig verwandelt STMicroelectronics seinen Standort Catania in einen erstklassigen Siliziumkarbid-Campus. Diese vollständig vertikal integrierte Anlage wird alles von Forschung und Entwicklung und Substratfertigung bis hin zur Front-End-Waferfertigung und Back-End-Modulmontage abdecken. Ein wichtiger Meilenstein dieser Transformation ist der Wechsel von sechs-Zoll- (150-Millimeter-) zu acht-Zoll- (200-Millimeter-) Siliziumkarbid-Wafern, wobei die Produktion im vierten Quartal 2025 beginnen soll. Dieser Übergang zu größeren Wafern dürfte die Fertigungseffizienz deutlich verbessern und die Kosten senken, wodurch Hochleistungs-Leistungshalbleiter für Elektrofahrzeuge im Massenmarkt zugänglicher werden.
Die Integration von Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Technologien in ein einziges Fertigungsökosystem positioniert STMicroelectronics, um ein umfassendes Portfolio an Halbleitern mit breiter Bandlücke anzubieten. Diese Materialien bieten gegenüber herkömmlichem Silizium überlegene Leistung, darunter höhere Schaltfrequenzen, geringere Energieverluste und ein besseres Wärmemanagement. Während sich die Branche in Richtung Elektrofahrzeugplattformen mit achthundert Volt (800V) und energieintensiverer KI-Infrastrukturen bewegt, stellt STs Doppelstrategie sicher, dass das Unternehmen an der Spitze der nächsten Generation der Leistungselektronik bleibt.
