Auf dem OCP Global Summit 2025 im September stellte STMicroelectronics (ST) eine revolutionäre Stromversorgungsplatine vor, die in der Lage ist, beeindruckende 12 Kilowatt (kW) Leistung zu liefern und dabei etwa die Größe eines Smartphones beibehält. Dieser Durchbruch dürfte zu einer entscheidenden Schlüsseltechnologie für Rechenzentren der nächsten Generation im Hypermaßstab für Künstliche Intelligenz (KI) werden.
Das Herzstück dieser hochdichten Stromversorgungslösung ist ein auf Galliumnitrid (GaN) basierender LLC-Wandler, der mit einer hohen Schaltfrequenz von 1 Megahertz (MHz) und einer Eingangsspannung von 800 Volt (V) arbeitet. Durch die Nutzung der überlegenen Schaltgeschwindigkeit und thermischen Eigenschaften von Galliumnitrid hat ST einen kontinuierlichen Ausgang von bis zu 12 kW erreicht und dabei einen branchenführenden Wirkungsgrad von über 98 Prozent (%) erzielt.
Dieses kompakte, hocheffiziente Design adressiert direkt mehrere bedeutende Herausforderungen der modernen Rechenzentrumsinfrastruktur, insbesondere jener, die KI-Anwendungen mit hohem Energiebedarf unterstützen. Zu den wichtigsten Vorteilen zählen:
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Leistungsdichte: Die erreichte beispiellose Leistungsdichte (12 kW in Smartphone-Größe) reduziert den für die Strominfrastruktur benötigten physischen Platz erheblich.
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Thermisches Management: Der hohe Wirkungsgrad (über 98 %) bedeutet, dass deutlich weniger Energie als Wärme verloren geht, was komplexe und teure thermische Managementsysteme vereinfacht.
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Vereinfachung der Infrastruktur und Kostensenkung: Durch die Lösung dieser Leistungsdichte- und Wärmeprobleme trägt die Lösung zur allgemeinen Vereinfachung der Infrastruktur bei und ermöglicht erhebliche Kosteneinsparungen bei Bau und Betrieb.
