Schwedens SweGaN, ein Hersteller von GaN-auf-SiC-epitaktischen Wafern, gab bekannt, dass seine Bestellungen für QuanFINE-epitaktische Wafer im ersten Halbjahr 2024 (Januar bis Juni) 16,510,308.20 US Dollar erreichten. Dazu gehören drei groß angelegte Rahmenverträge mit wichtigen Akteuren aus den Telekommunikations- und Verteidigungsmärkten.
Infolgedessen hat sich das Auftragsvolumen im Vergleich zum Vorjahr verdoppelt. Darüber hinaus hat das Unternehmen die Kundenzertifizierung für QuanFINE-epitaktische Wafer von Halbleiterbauelemente-Herstellern erhalten und die Auslieferungen aus seinem neuen Werk aufgenommen. QuanFINE ist SweGaNs proprietärer GaN-auf-SiC-epitaktischer Wafer, der sich für GaN-High-Electron-Mobility-Transistoren eignet.
Konventionelle Struktur
Der branchenübliche Fe-dotierte GaN-Epi-Wafer mit High-Electron-Mobility-Transistor-Struktur ist ein weit verbreiteter Standard für Telekommunikationsgeräte – etwa in Funk-Basisstationen und Satelliten. Mit dieser Struktur erhalten Sie eine GaN-Pufferschicht mit Fe-Akzeptoren, die den GaN-Puffer hochohmig machen, d. h. einen geringen Leckstrom gewährleisten, und eine hohe Leistungsdichte ermöglichen.
