In einem bedeutenden Schritt für die Halbleiterindustrie haben Toshiba D&S und SICC eine strategische Partnerschaft angekündigt, die auf die Steigerung von Leistung und Qualität von SiC-(Siliziumkarbid-)Wafern für Leistungshalbleiter abzielt. Diese Zusammenarbeit konzentriert sich auf die gemeinsame technologische Entwicklung und geschäftliche Kooperation, um eine stabile und hochwertige Versorgung mit diesen wichtigen Komponenten sicherzustellen.
Toshiba D&S ist ein wichtiger Akteur bei der Entwicklung von SiC-Bauelementen für verschiedene Anwendungen, darunter Server-Stromversorgungen und Automobilelektronik. Durch die Zusammenarbeit mit SICC möchte Toshiba D&S seine Bauelemententwicklung beschleunigen und optimierte Lösungen für diese wachstumsstarken Märkte anbieten.
SICC bringt einen großen Erfahrungsschatz in die Partnerschaft ein. Als Spezialist für Forschung, Entwicklung und Produktion von einkristallinen SiC-Wafern ist das Unternehmen ein anerkannter Branchenführer. SICC belegt weltweit einen Platz unter den Top Fünf bei einschlägigen Patenten und hat mit der Einführung des weltweit ersten 12-Zoll-SiC-Wafers einen bedeutenden Durchbruch in der Branche erzielt.
Diese Allianz vereint Toshibas D&S umfassende Erfahrung in der Bauelementanwendung mit SICCs hochmoderner Wafertechnologie. Beide Unternehmen führen nun detaillierte Gespräche, um ihre Zusammenarbeit zu formalisieren und den Grundstein für zukünftige Innovationen bei SiC-Leistungshalbleitern zu legen.
