L’Université de Nagoya a mis au point une nouvelle méthode de croissance cristalline pour le GaN utilisant le plasma. Cette méthode permet une croissance rapide à basse température sans utiliser d’ammoniac nocif.
Le GaN, attendu comme matériau pour les dispositifs de puissance de nouvelle génération, utilise généralement le MOCVD pour la croissance cristalline. Le MOCVD nécessite une grande quantité de gaz ammoniac toxique et fonctionne à des températures élevées supérieures à 1150°C, ce qui pose des difficultés pour obtenir une production de haute qualité et à faible coût, freinant ainsi l’application pratique des dispositifs en GaN.
L’équipe de recherche a désormais mis au point une nouvelle méthode de croissance cristalline appelée « dépôt chimique en phase vapeur métal-organique assisté par radicaux », utilisant un plasma à basse température ainsi que des radicaux d’azote et d’hydrogène. En plus de ne pas utiliser de gaz ammoniac, cette méthode permet la croissance rapide de cristaux de GaN à environ 800°C, une température basse comparée au MOCVD. Cette innovation devrait permettre de réaliser des dispositifs en GaN à faible coût et de haute qualité, contribuant à accélérer leur application pratique.
