GaN on Sapphire wafer 4inch P GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate, showing various wafer sizes.
GaN on Sapphire wafer 4inch P GaN Gallium nitride Semiconductor Substrate on a clear holder.

SOKA TECHNOLOGY

Tranche de nitrure de gallium GaN sur saphir 2 pouces, type P, dopée au magnésium, substrat semi-conducteur en nitrure de gallium

Prix de vente$3,000.00
Size:2inch
Quantity:15 pieces
Quantité:
♦️Tranche de GaN de haute qualité pour la recherche et l’expérimentation.
♦️Fourniture en petites quantités, produits à spécifications particulières et services personnalisés
♦️Livraison internationale, paiement sécurisé, stock important.
♦️Délai de livraison minimum sous 1 week. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.
Spécifications du nitrure de gallium :
  • Taille : 2inch ;
  • Dopé au Mg ;
  • Diamètre : 50.8 mm±0.3 mm ;
  • Épaisseur/épaisseur STD : 4.5 ± 0.5 μm / < 3% ;
  • Orientation du GaN : plan C (0001) avec un angle de désorientation vers l’axe A de 0.2 ± 0.1° ;
  • Face plane d’orientation du GaN : (1-100) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm ;
  • Type de conduction : type P ;
  • Résistivité (300K) : < 10 Ω·cm ;
  • Concentration des porteurs :> 1 x 1017 cm -3 (concentration de dopage du p+GaN ≥ 5 x 1019 cm -3) ;
  • Mobilité : > 5cm2/V·s ;
  • Structure :~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm uGaN /~ 25 nm uGaN tampon/430 ±25 μm saphir ;
  • FWHM XRD : (0002)<300 arcsec,(10-12)<400 arcsec ;
  • Orientation du saphir : plan C (0001) avec un angle de désorientation vers l’axe M de 0.2 ± 0.1° ;
  • Face plane d’orientation du saphir : (11-20) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm ;
  • Polissage du saphir : poli sur une face (SSP)/poli sur deux faces (DSP);
  • Zone utilisable : > 90% (hors défauts de bord et macrodéfauts) ;
  • Boîtier de wafer ;


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