台湾積体電路製造（TSMC）は、人工知能向け半導体需要の爆発的な拡大に対応し、最先端の3ナノメートルプロセス「N3」の生産を急速に拡大しています。同社は、日本、台湾、米国に新たな製造工場を建設すると同時に、既存の生産ラインをN3対応へアップグレードすることで、強固なグローバル戦略を進めています。この大規模な増強の結果、2026年の設備投資額は、520億〜560億米ドルのガイダンスレンジの上限に達する見通しです。
これら新施設の立ち上げ時期は、世界全体への安定供給を確保するため、戦略的に段階を分けて設定されています。台湾では、Fab 18のPhase 9が2027年前半に量産を開始する予定です。続いて、米国のArizona Fab 21 Phase 2が2027年後半を目標に進められます。さらに、Japan Advanced Semiconductor ManufacturingのFab 23 Phase 2は2028年に量産開始が予定されています。
大きな戦略転換として、同社は既存の製造拠点の最適化も決定しました。これには、6インチのFab 2と、窒化ガリウム（GaN）向けの8インチ施設の規模縮小が含まれます。これらの拠点は再編され、需要の高いテクノロジー分野により適した先端ノード拠点へ統合されます。この資源再配分は、より小さく、より高速で、よりエネルギー効率の高い高性能コンピューティングソリューションへと業界が移行していることを示しています。
