Intelは、1.8ナノメートル級のプロセス技術をさらに進化させたIntel 18A-Pを正式に発表し、リスク生産を開始しました。この新しいノードは、RibbonFETのGate-All-Aroundトランジスタ、PowerVia背面給電、180〜160ナノメートルのセル高、50ナノメートルのContacted Poly Pitchといった中核となる構造革新を継承し、元のIntel 18Aの強固な基盤の上に構築されています。 複数のトランジスタオプションを導入することで、Intelは性能向上と消費電力削減を同時に実現しました。標準のIntel 18Aと比べ、18A-Pは性能が9％向上し、消費電力が18％低減します。技術的改良としては、熱抵抗を20〜40％低減し、ビア抵抗を10〜30％改善しています。さらに、Pチャネル金属酸化膜半導体の移動度を向上させるためのひずみ工学により、トランジスタの効率が強化されました。世界のデータセンターと人工知能アクセラレータが、高密度なコンピューティング性能と前例のないエネルギー効率を同時に求める中で、この最適化は極めて重要なタイミングで実現しました。
Intelは、1.8ナノメートル級のプロセス技術をさらに進化させたIntel 18A-Pを正式に発表し、リスク生産を開始しました。この新しいノードは、RibbonFETのGate-All-Aroundトランジスタ、PowerVia背面給電、180〜160ナノメートルのセル高、50ナノメートルのContacted Poly Pitchといった中核となる構造革新を継承し、元のIntel 18Aの強固な基盤の上に構築されています。複数のトランジスタオプションを導入することで、Intelは性能向上と消費電力削減を同時に実現しました。標準のIntel 18Aと比べ、18A-Pは性能が9％向上し、消費電力が18％低減します。技術的改良としては、熱抵抗を20〜40％低減し、ビア抵抗を10〜30％改善しています。さらに、Pチャネル金属酸化膜半導体の移動度を向上させるためのひずみ工学により、トランジスタの効率が強化されました。世界のデータセンターと人工知能アクセラレータが、高密度なコンピューティング性能と前例のないエネルギー効率を同時に求める中で、この最適化は極めて重要なタイミングで実現しました。
