日本はメモリ半導体製造の目覚ましい再興を迎えており、東西両方の拠点で大規模な投資が進んでいます。世界的な人工知能インフラの爆発的な成長に牽引され、高容量NANDフラッシュメモリと高性能DRAMの需要は急増し、業界の勢いは先端ロジックチップから次世代メモリ生産施設へと移っています。
日本東部では、キオクシア株式会社が岩手県北上市の北上工場にある第2製造拠点「K2」で、生産準備を積極的に加速しています。 2025年9月から本格稼働を開始する予定で、この施設は同社の第10世代BiCS FLASH 3Dメモリ技術の拡大に重点を置いています。高度な332層の積層アーキテクチャを備えたこの第10世代設計は、CMOS directly Bonded to Array技術、通称CBAアーキテクチャを引き続き採用しています。 キオクシアはすでに1 Terabit容量のTriple-Level Cellチップのサンプル出荷を開始しており、人工知能の厳しいワークロード要件に応えるため、従来世代比でビット密度を59％向上、データ転送速度を33％向上させています。
日本西部では同時に、Micron Technologyが広島県東広島市でクリーンルームインフラ拡張の起工式を正式に執り行いました。この拡張により、Micronの高密度DRAM生産能力、特に人工知能アクセラレータ向けの高帯域幅メモリへの対応力が強化されます。世界のテック大手が各地で大規模データセンターを建設する中、キオクシアとMicronによる同時拡張は、世界の半導体供給網の確保における日本の極めて重要な役割を浮き彫りにしています。
