AIサーバーやハイパースケールデータセンターの拡大を主因として、高速データ伝送への世界的需要が急増する中、化合物半導体の役割はかつてないほど重要になっています。半導体プロセス装置の先進的なイノベーターであるSAMCOは、インジウムリン（InP）デバイス向けに特化した技術ラインアップの大幅な拡充を発表しました。
インジウムリンは次世代光トランシーバーの基盤材料であり、従来のシリコンと比べて優れた電子移動度と高周波性能を備えています。これらのデバイスに求められる厳格な精度と信頼性要件に応えるため、SAMCOは包括的な加工・成膜技術を提供しています。拡充されたポートフォリオには、誘導結合プラズマ（ICP）エッチング、容量結合プラズマ反応性イオンエッチング（CCP-RIE）、プラズマCVD（PECVD）、原子層堆積（ALD）が含まれます。
これらのシステムは、単枚ウェハー処理により3-inch、4-inch、6-inchのウェハーに対応できるよう設計されています。SAMCOの装置の際立った特長は柔軟性であり、反応チャンバーの部品を交換するだけで、システムはさまざまなウェハーサイズに容易に対応できます。このモジュール性はコンパクトな設置面積と相まって、製造現場が技術性能を損なうことなくクリーンルームのスペースを最適化することを可能にします。
インジウムリンへの戦略的注力は、AIインフラ市場の急速な進化と一致しています。2026年には、世界のAI向け光トランシーバー市場は260億USドルに達すると予測されており、800Gおよび1.6Tモジュールが低遅延GPUクラスタ相互接続の新たな標準になりつつあります。二酸化ケイ素や酸化アルミニウムなどの材料の薄膜成膜を強化し、インジウムリンの柱状構造やリッジに対する高アスペクト比エッチングを提供することで、SAMCOはデバイスメーカーがこれらの巨大な市場需要に応える生産規模の拡大を実現できるよう支援しています。
