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Developing High-Performance Lithium-Ion Batteries Using Low-Cost Iron: the Breakthrough of Li4FeSbO6 高性能リチウムイオン電池を低コストな鉄で実現:Li4FeSbO6 の画期的発見
近年の電池材料科学の進展において、京都大学とStanford Universityの研究者たちは、有望な新しい層状酸化物材料であると名付けられたものを発表しました リチウム豊富酸化物 リチウム四鉄アンチモネート (Li₄FeSbO₆)(以下「リチウム四鉄アンチモネート」)。この材料は活用されています アイロン—低コストで豊富に存在する遷移金属であり、リチウムイオン電池の高電圧作動を可能にして...

新時代のSiCパワーデバイス:信頼性を損なわない高性能化
炭化ケイ素(SiC)金属酸化物半導体(MOS)デバイスは、電気自動車(EV)、高速鉄道、高度な産業システムにおける電力効率向上に不可欠です。しかし、SiC/SiO2界面に存在する欠陥密度が高いことが大きな障害であり、これが電子移動度を制限し、特に長期的なデバイス信頼性に重大な影響を与えてきました。
従来、SiC MOSの性能向上には窒素などの不純物導入(界面窒化)が行われてきました。これによ...

Advantest、AIを活用して半導体試験を高度化
Advantestの米州地域本部は、半導体試験データを収集・解析する「ACS Real-Time Data Infrastructure(ACS RTDI)」を、NVIDIAの先進的なAI技術と統合してAI駆動の試験システムへと変革する戦略的な取り組みを発表しました。
この取り組みの中核は、NVIDIAの最新Blackwell GPUアーキテクチャを量産プロセスに導入することにあります。シス...

名古屋大学と連携企業が溶液成長法により6インチP型SiCウェハーの試作に成功
Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、産業技術総合研究所(AIST)、名古屋大学で構成される研究グループは、溶液成長法と高度なシミュレーション技術を組み合わせて、6インチのp型および6インチと8インチのn型シリコンカーバイド(SiC)ウェハの試作に成功しました。
この成果は、これまで困難であったp型SiCウェハの大口径化の実現という大き...

東北大学とNIMSの画期的成果:マグネシウム充電池向け耐久性の高い無定形酸化物正極
東北大学と物質・材料研究機構(NIMS)の研究者らは、室温で200回以上の充放電が可能なマグネシウム充電池(RMB)用のアモルファス酸化物正極材料の開発に成功しました。この重要な成果は、豊富に存在するマグネシウムを活用することで資源制約に対処し、高電圧動作を可能にして次世代電池技術の限界を押し広げます。
マグネシウムで資源制約を克服
リチウムよりもはるかに豊富なマグネシウムは、エネルギー貯蔵...

リコー、ペロブスカイト太陽電池の量産を加速:2030年度までに年産出力300MW超を目指す
リコーは、NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)のグリーンイノベーション基金を活用し、ペロブスカイト太陽電池(PSC)の量産技術を積極的に開発しています。同社は2030年度までに年産能力300MW超を達成するという野心的な目標を掲げています。
この重要な取り組みにおいて、リコーは大和ハウス工業およびNTTアノードエナジーと協力しています。本連携は、PSCの変換効率向上や設置・設計技術...

ポーランド、半導体生産の強化に意欲—欧州との協力を強化
Polish Investment and Trade Agencyは先ごろ「Poland-Japan Investment Forum」を開催しました。本フォーラムは日本企業や投資家に対し、ポーランドの支援体制や投資プロジェクトを紹介することを目的としています。フォーラムの主要な焦点は、半導体と人工知能(AI)の二重用途に関する日・ポ協力でした。
ポーランドの副大臣は、半導体の国内生産の必...

NAND SSD価格がさらに上昇:データセンター需要と供給制約が第4四半期の見通しを押し上げる
信頼できる調査会社であるTrendForceによると、エンタープライズ向けNANDフラッシュメモリの契約価格は、2025年10月〜12月期に前四半期比で5〜10%の上昇が見込まれています。この予想上昇率は、2025年7月〜9月期に観測された成長率を上回るものです。
この継続的な価格上昇は主に2つの重要な要因によって引き起こされています。第一に、データセンター事業者によるSSD調達の大幅な増加...

三菱電機、8インチ新設備でSiC生産能力を強化
三菱電機は、熊本県菊池市の敷水工場において、新しい8インチ炭化ケイ素(SiC)製造施設を完成させ、パワー半導体戦略における重要な節目を迎えました。建屋は10月初旬に竣工し、設備搬入後の11月に稼働開始する予定です。
この新施設は、SiCウエハの大型化を推進するための重要な一歩であり、生産効率の向上と高性能パワー半導体の増大する需要に対応するための鍵となります。同社は2026年にサンプル出荷を...
