Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、産業技術総合研究所（AIST）、名古屋大学で構成される研究グループは、溶液成長法と高度なシミュレーション技術を組み合わせて、6インチのp型および6インチと8インチのn型シリコンカーバイド（SiC）ウェハの試作に成功しました。 この成果は、これまで困難であったp型SiCウェハの大口径化の実現という大きな突破を示すものであり、次世代の超高電圧絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の実用化を一層現実に近づけるものです。 研究では、シミュレーションによる高品質結晶の育成と最適条件の確立、ならびに量産プロセスの開発が行われました。本プロジェクトは国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の支援を受けています。 p型SiCウェハのスケールアップの成功はパワーエレクトロニクスの発展にとって極めて重要であり、省エネルギー技術や将来の電力システムに不可欠な、より高効率で高電圧のデバイスの実現を可能にします。
Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、産業技術総合研究所（AIST）、名古屋大学で構成される研究グループは、溶液成長法と高度なシミュレーション技術を組み合わせて、6インチのp型および6インチと8インチのn型シリコンカーバイド（SiC）ウェハの試作に成功しました。この成果は、これまで困難であったp型SiCウェハの大口径化の実現という大きな突破を示すものであり、次世代の超高電圧絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の実用化を一層現実に近づけるものです。研究では、シミュレーションによる高品質結晶の育成と最適条件の確立、ならびに量産プロセスの開発が行われました。本プロジェクトは国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の支援を受けています。p型SiCウェハのスケールアップの成功はパワーエレクトロニクスの発展にとって極めて重要であり、省エネルギー技術や将来の電力システムに不可欠な、より高効率で高電圧のデバイスの実現を可能にします。
