Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology
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SOKA TECHNOLOGY

SiCおよびGaNウェーハの処理コスト

セール価格$2,674.00
アイテムの数:加工費
数量:
♦️研究および実験用の高品質SiCウェーハ。
♦️少量、特殊仕様品、カスタマイズサービスを提供します
SiC&GaN処理:
  • SiCウェハ
  • サイズ: 6インチ。
  • ダミーグレード
  • 厚さ: 350um±25;
  • シンニング+研磨加工;
  • 350um => 100um;
  • GaNウェハ。
  • サイズ:2インチ。
  • ダミーグレード;
  • 厚さ: 400um±25;
  • シンニング+研磨加工;
  • 400um => 100um


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