シリコンウェーハ 4インチ P/Nタイプ 1~10Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ P/Nタイプ 1~10Ω 酸化膜半導体基板
シリコンウェーハ 4インチ P/Nタイプ 1~10Ω 酸化膜半導体基板

SOKA TECHNOLOGY

シリコンウェーハ 4インチ P/Nタイプ 1~10Ω 酸化膜半導体基板

セール価格$29.50 USD
仕様:P(100) 525um Oxide Layer 150nm
アイテム数:1 アイテム
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シリコンウェーハ仕様:
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: P;
  • ドーパント:B;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:1〜10Ω;
  • 厚さ:525um±25;
  • 酸化膜:280/300/500nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;
  • サイズ: 4インチ;
  • 方法: CZ;
  • タイプ: N;
  • ドーパント:P;
  • オリエンテーション:100;
  • 抵抗率:1〜10Ω;
  • 厚さ:525um±25;
  • 酸化膜:100/280nm(両面)
  • TTV<10um;
  • 表面:研磨済み。
  • 裏面:エッチング加工。
  • 梱包:シリコンウエハーケース;


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