sic substrate  6 Inch Product Grade
실리콘 카바이드 기판 4인치 NG 등급 반 절연 4H SiC 웨이퍼 IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade

SOKA TECHNOLOGY

실리콘 카바이드 기판 4인치 NG 등급 반 절연 4H SiC 웨이퍼 IGBT

판매 가격$1,390.00 USD
항목 수:10개 항목
수량:
♦️ 연구 및 실험용 고품질 SiC 웨이퍼.
♦️ 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스 제공 .
SiC 기판 사양:
  • 크기: 4인치;
  • 직경: 100.8mm ±0.5;
  • 두께: 500um±25;
  • 표면 배향: <0001>±0.2°;
  • 1차 편평 방향:[11-20]±5°;
  • 2차 평면 방향: 실리콘 페이스 업 90°CW. Prime flat±5°에서;
  • 마이크로파이프: N/A;
  • 비저항: N/A;
  • TTV≤10um;
  • 워프≤45um;
  • Bow≤≤30um;
  • 표면 조도: Si 면 Ra≤0.5 nm;
  • 균열: 없음;
  • 웨이퍼 에지: 베벨링;
  • 표면 처리: 양면 광택, Si Face CMP;
  • 패킹: 다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너;


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