Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 8inch NG Grade N Type 4H SiC Wafer IGBT - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

실리콘 카바이드 기판 8인치 더미 등급 N 유형 4H SiC 웨이퍼 IGBT

Sale price$1,650.00
항목 수:1 Item
Grade:P-mos Grade
Thickness:350um
Quantity:
♦️ 연구 및 실험용 고품질 SiC 웨이퍼.
♦️ 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스 제공 .
SiC 기판 사양:
  • 크기: 8인치;
  • 직경: 200mm±0.2;
  • 두께: 500um±25;
  • 표면 배향: [11-20]±0.5° 쪽으로 4;
  • 노치 오리엔테이션:[1-100]±1°;
  • 노치 깊이: 1±0.25mm;
  • 마이크로파이프: <5cm2;
  • 육각 플레이트: 면적 ≤5%;
  • 비저항: 0.014~0.028Ω;
  • EPD: 해당 없음;
  • TED: 해당 없음;
  • BPD: 해당 없음;
  • TSD: 해당 없음;
  • SF: 해당 없음;
  • TTV≤15um;
  • 워프≤60um;
  • Bow≤40um;
  • 폴리 영역: ≤5%;
  • 칩/인덴트: 수량:2 ≤1mm 폭과 깊이;
  • 스크래치: 누적 길이 ≤1.5 웨이퍼 직경;
  • 얼룩: 없음;
  • 웨이퍼 에지: 모따기;
  • 표면 처리: 양면 광택, Si Face CMP;
  • 패킹: 다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너;


Email

info@sokatec.com

Email

info@sokatec.com

Warranty

Guarantee product quality.

Warranty

Guarantee product quality.

Payments

We accept payment by credit card, PayPal, bank transfer etc.

Payments

We accept payment by credit card, PayPal, bank transfer etc.

Business Cooperation

United States

Contact: Sophie
Email: sophie@sokatec.com
Tel: +1-6463916255

England

Contact: Elsa
Email: elsa@sokatec.com
Tel: +44-7972294236

Japan

Contact: Shon
Email: shon@sokatec.com
Tel:+81-368203586

Korea

Contact: Kim
Email: kim@sokatec.com
Tel: +82-1090065688

India

Contact: Chraiseto
Email: chraiseto@sokatec.com
Tel: +91-9488669046

Vietnam

Contact: Ryan
Email:nguyen@sokatec.com
Zalo: +84-915750102