sic substrate  6 Inch Product Grade
실리콘 카바이드 기판 8인치 더미 등급 N 유형 4H SiC 웨이퍼 IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade

SOKA TECHNOLOGY

실리콘 카바이드 기판 8인치 더미 등급 N 유형 4H SiC 웨이퍼 IGBT

판매 가격$1,650.00 USD
항목 수:1 Item
Grade:P-mos Grade
Thickness:350um
수량:
♦️ 연구 및 실험용 고품질 SiC 웨이퍼.
♦️ 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스 제공 .
SiC 기판 사양:
  • 크기: 8인치;
  • 직경: 200mm±0.2;
  • 두께: 500um±25;
  • 표면 배향: [11-20]±0.5° 쪽으로 4;
  • 노치 오리엔테이션:[1-100]±1°;
  • 노치 깊이: 1±0.25mm;
  • 마이크로파이프: <5cm2;
  • 육각 플레이트: 면적 ≤5%;
  • 비저항: 0.014~0.028Ω;
  • EPD: 해당 없음;
  • TED: 해당 없음;
  • BPD: 해당 없음;
  • TSD: 해당 없음;
  • SF: 해당 없음;
  • TTV≤15um;
  • 워프≤60um;
  • Bow≤40um;
  • 폴리 영역: ≤5%;
  • 칩/인덴트: 수량:2 ≤1mm 폭과 깊이;
  • 스크래치: 누적 길이 ≤1.5 웨이퍼 직경;
  • 얼룩: 없음;
  • 웨이퍼 에지: 모따기;
  • 표면 처리: 양면 광택, Si Face CMP;
  • 패킹: 다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너;


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