Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
Silicon Carbide Substrate 6inch 4H N Type Production/Dummy Grade SiC Wafer IGBT - Soka Technology
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SOKA TECHNOLOGY

실리콘 카바이드 기판6inch Production/Dummy Grade 4H N Type SiC Wafer

판매 가격$755.00 USD
Grade:1 항목
항목 수:1 Item
수량:
♦️ 연구 및 실험용 고품질 SiC 웨이퍼.
♦️ 소량, 특수사양 제품, 맞춤형 서비스 제공 .
SiC 기판 사양:
  • 크기: 6인치;
  • 직경: 150mm±0.25;
  • 두께: 350um±25;
  • 표면 방향: 4°toward[11-20]±5°;
  • 1차 평면 배향:[11-20]±5°;
  • 기본 편평한 길이: 47.5mm±1.5;
  • 보조 평면: 없음;
  • 마이크로파이프: ≤10/cm2;
  • 비저항: 0.015~0.028Ω;
  • TTV≤10um;
  • 워프≤55um;
  • Bow≤45um;
  • 표면 조도: Si면 Ra<0.5 nm;
  • 균열: 없음;
  • 거칠기: 없음;
  • 에지 칩: ≤2, 각 길이 및 너비 <1mm;
  • 표면 처리: 양면 광택, Si Face CMP;
  • 패킹: 다 웨이퍼 카세트 또는 단 하나 웨이퍼 콘테이너;

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